抑制變頻器中的微浪涌電壓方法
當(dāng)變頻器和電機(jī)之間的接線距離很長時(shí),電機(jī)接線端因變頻器的高速開關(guān)過程引起的微浪涌電壓,給電機(jī)的絕緣帶來影響,造成電機(jī)損傷。這里把浪涌稱為微浪涌是為了區(qū)別于雷電等突發(fā)的強(qiáng)大浪涌,微浪涌從示波器上看是密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。
本文對微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對電機(jī)的影響作了分析,介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù),以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
1 微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理
1.1 變頻器的輸出電壓波形
變頻器主要由把交流市電整流成直流的整流器、平滑電壓脈動的電容器、6個開關(guān)器件構(gòu)成的逆變器所組成。如圖1所示,逆變器部分輸出由改變脈沖寬度(PWM波)形成的等效正弦波交流電壓去驅(qū)動電機(jī)。近幾年的變頻器為了使電機(jī)低噪音化,逆變部分的開關(guān)器件采用IGBT進(jìn)行著高速開關(guān)動作。因此,在PWM波的每個脈沖上升和下降時(shí),即開關(guān)時(shí)間以非常短的時(shí)間駐t=0.1~0.3滋s切換著的時(shí)候,使逆變器內(nèi)部的直流電壓Ed(400V電力系統(tǒng)用逆變器的Ed=600V左右)因切換所形成的電壓變化率dv/dt變得很大,這是產(chǎn)生微浪涌的主要根源之一。
1.2 微浪涌電壓
微浪涌電壓是變頻器和電機(jī)之間的接線長度很長時(shí),在電機(jī)接線端產(chǎn)生的極細(xì)的尖峰浪涌電壓。如圖2所示,逆變器的輸出電壓是脈沖狀,在電機(jī)接線端子上發(fā)現(xiàn)在脈沖狀的波形上又疊加了微浪涌電壓尖峰。一般情況下,微浪涌電壓的尖峰值將會是逆變器內(nèi)部的直流電壓的2倍。
1.3 阻抗不匹配形成的反射
變頻器的輸出脈沖上升或下降時(shí)間很短,是疊加在變頻器輸出給電機(jī)的驅(qū)動頻率(基波)及脈沖調(diào)制頻率(調(diào)制波)之外的高頻成分。一般情況下,變頻器與電機(jī)連接電纜的阻抗ZL是50~100 贅,而電機(jī)本身的阻抗ZM,一般數(shù)百kW的電機(jī)也都超過1k贅,是電纜阻抗的10倍以上。這樣,在電機(jī)的接線端子上將發(fā)生阻抗的不匹配現(xiàn)象,造成高頻波成分的反射。在不匹配阻抗連接處的反射系數(shù)M為
變器的輸出脈沖同一極性、幾乎同一大小的反射波,疊加后成為微浪涌尖峰電壓。圖3形象地表示了反射的情況,微浪涌電壓就像海浪遇到障礙一樣被抬得很高。圖4表示實(shí)際電纜和電機(jī)的阻抗差別,一般電機(jī)的阻抗是電纜特性阻抗的10倍以上,所以反射總是存在。
1.4 微浪涌發(fā)生的實(shí)例
某一變頻器和電機(jī)額定值都是AC 400V輸入、功率3.7kW,運(yùn)行電網(wǎng)電壓AC 460V,輸電電纜長度50m??蛰d條件下,測量出變頻器內(nèi)部直流中間電壓為620V,用示波器看到的電機(jī)接線端子上的微浪涌波形如圖5所示,圖中,微浪涌電壓值高達(dá)直流1250V,這對電機(jī)絕緣產(chǎn)生破壞并加速其老化。
測量變頻器與電機(jī)間不同布線電纜長度時(shí)的微浪涌電壓如圖6所示,這是在IGBT調(diào)制頻率2kHz,脈沖上升時(shí)間駐t=0.1滋s的常見條件下的測量值,可以看到電纜長度超過100m后,微浪涌電壓保持在變頻器內(nèi)部直流電壓2倍的水平不變。而電纜長度超過20m就要重視微浪涌電壓可能已經(jīng)超過變頻器內(nèi)部直流電壓1.8倍的情況。
2 微浪涌電壓對電機(jī)的影響
電機(jī)內(nèi)部的斷面如圖7所示。電機(jī)有定子和轉(zhuǎn)子,定子內(nèi)有安放三相線圈的槽。如果放大槽的內(nèi)部,可以看到有許多的線圈(漆包線),各線圈對地之間、各相之間、線匝相互之間都有絕緣存在。通常對地、相間都有絕緣紙插入,而線匝之間沒有絕緣紙插入,它利用堅(jiān)固的漆包線的漆層獲得絕緣。微浪涌電壓給這些絕緣全部帶來影響,這些絕緣損壞之中,線圈匝間損壞最多。表1列出了有關(guān)電機(jī)內(nèi)部各絕緣部分承受的電壓值,也稱為電壓應(yīng)力,提供了用市電電源驅(qū)動電機(jī)和用變頻器驅(qū)動時(shí)相比較的資料。
2.1 對線圈匝間的絕緣破壞
浪涌電壓滲入電機(jī)內(nèi)部的時(shí)候,線圈匝間究竟加上多少電壓,模擬結(jié)果如圖8所示。該模擬是將測量點(diǎn)放在電機(jī)的每一線圈上(電機(jī)槽內(nèi)的漆包線圈上),在U-V之間加上上升時(shí)間0.14滋s的浪涌電壓的測量的結(jié)果。U-S1之間是第1線圈分擔(dān)的電壓,測得它分擔(dān)了全電壓65豫耀75%,而別的線圈S1-S2、S2-S3、S3-V之間分擔(dān)了10豫耀20%,這是因?yàn)殡姍C(jī)內(nèi)部的阻抗大,微浪涌電壓在逐漸衰減。
在電機(jī)的制造過程中,漆包線線圈的起頭到末尾完全分離不易做到,多數(shù)情況下是亂繞的,槽里邊線頭和線尾可能緊挨著。如果這樣就會發(fā)生線匝之間由于微浪涌電壓的電暈放電(局部放電)。那怕放電部分時(shí)間極其短促,局部也會達(dá)到10000益,高溫使絕緣逐漸地侵蝕,過些時(shí)間之后絕緣就會被破壞。如圖9所示為直徑0.85mm、漆皮厚33滋m、F級絕緣、155益漆包線的壽命特性。
壽命特性水平軸表示施加破壞脈沖次數(shù)和破壞時(shí)間;縱座標(biāo)軸表示破壞電壓,兩條曲線分別表示漆包線在溫度20益和155益兩種條件下測量的結(jié)果。
壽命特性用斜率不同的兩條線表示,兩條線連接的地方叫做局部放電起始電壓。斜率陡險(xiǎn)的部分,是確實(shí)發(fā)生了放電的區(qū)域,2小時(shí)內(nèi)漆包線遭到破壞。斜率緩慢的區(qū)域極少發(fā)生局部放電。按照這一結(jié)論,如果控制住第1線圈局部放電起始電壓,就不發(fā)生微浪涌電壓的絕緣破壞。另外,如果相間(U-V 之間)控制在1000V以下、上述的第1線圈的電壓分擔(dān)率控制在750V左右,就能夠確保20年的壽命。
2.2 由于微浪涌所造成電機(jī)損壞的真實(shí)情況
在日本,隨著變頻器的普及,電機(jī)廠家強(qiáng)化了電機(jī)的絕緣,多數(shù)把絕緣水平做到超過1200V以上。JEMA(日本電機(jī)工業(yè)會)的技術(shù)資料顯示在1989耀1993年的5 年間,根據(jù)對電機(jī)發(fā)貨臺數(shù)統(tǒng)計(jì)的微浪涌的損壞事例在0.013% ,即非常低的概率。不過長期使用絕緣老化的舊電機(jī)和被認(rèn)為絕緣水平低的電機(jī),絕緣破壞的危險(xiǎn)性還是較高。另外,根據(jù)近幾年的電源的高次諧波對策和對以升降機(jī)的回生能量為目標(biāo)的高功率因數(shù)電源推廣應(yīng)用,所設(shè)置PWM變頻器系統(tǒng)不斷增加。PWM變頻器的回生能量為了送回市電電源,讓直流中間電壓上升到較高值是必要的關(guān)鍵,其結(jié)果是由于微浪涌電壓引發(fā)絕緣破壞的可能性正在增加。在中國和其它AC 440~380 V地區(qū),市電電壓是日本市電電壓的2倍,因此,微浪涌電壓的危害更加顯著。
3 微浪涌的抑制技術(shù)
鑒于上述原因,各變頻器廠商致力于克服微浪涌問題,開發(fā)和銷售各種各樣對微浪涌進(jìn)行抑制的產(chǎn)品。
3.1 輸出電路用的濾波器
輸出電路用濾波器由輸入輸出接線端子、電阻、電容器、電抗器所構(gòu)成,如圖10所示,其中電抗器是非常重的部件。作為主要的指標(biāo),相間的微浪涌電壓為1000V以下,變頻器和電機(jī)之間的接線長度為400m,產(chǎn)品的系列到達(dá)500kW,防護(hù)等級為IP00。
相關(guān)推薦
技術(shù)專區(qū)
- FPGA
- DSP
- MCU
- 示波器
- 步進(jìn)電機(jī)
- Zigbee
- LabVIEW
- Arduino
- RFID
- NFC
- STM32
- Protel
- GPS
- MSP430
- Multisim
- 濾波器
- CAN總線
- 開關(guān)電源
- 單片機(jī)
- PCB
- USB
- ARM
- CPLD
- 連接器
- MEMS
- CMOS
- MIPS
- EMC
- EDA
- ROM
- 陀螺儀
- VHDL
- 比較器
- Verilog
- 穩(wěn)壓電源
- RAM
- AVR
- 傳感器
- 可控硅
- IGBT
- 嵌入式開發(fā)
- 逆變器
- Quartus
- RS-232
- Cyclone
- 電位器
- 電機(jī)控制
- 藍(lán)牙
- PLC
- PWM
- 汽車電子
- 轉(zhuǎn)換器
- 電源管理
- 信號放大器
評論