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多模式開關電源控制芯片的低功耗設計方案

作者: 時間:2012-02-12 來源:網(wǎng)絡 收藏
DDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 20px 0px 0px; COLOR: rgb(0,0,0); PADDING-TOP: 0px">  時,比較器跳轉(zhuǎn),N1開通,UVLO-out開始變l.通過合理設置R1、R2、R3值就可以使VDD1=9.5 V,VDD2=7V,即VDD上升到9.5 V時UVLO輸出為零,芯片正常工作; VDD下降到7 V 時芯片停止工作。

  

用外部遲滯實現(xiàn)的欠壓鎖定電路

  圖3 用外部遲滯實現(xiàn)的欠壓鎖定電路

  兩種方案的工作特性對比結果如表2所列。需要指出的是,若直接用門電路實現(xiàn)施密特觸發(fā),由于"的工藝離散性,將使觸發(fā)電壓難以準確控制。

  表2 兩種欠壓鎖定電路比較

  

多模式開關電源控制芯片的低功耗設計方案

  經(jīng)比較可知,UVL02結構較為簡單,面積小,啟動電流小,有利于降低功耗。因此,本設計最終采用了UVL02方案。此外,為最大限度減小功耗,設計中將帶隙基準電壓、數(shù)字電源和欠壓鎖定電路集成在一起。具體電路圖見圖4。

  

欠壓鎖定和數(shù)字電源的具體電路圖

  圖4 欠壓鎖定和數(shù)字電源的具體電路圖

  圖中利用帶隙基準電壓加上四個二極管連接的三極管產(chǎn)生一個大于4 V 的電壓,然后經(jīng)過M0S管產(chǎn)生一個大約2.65 V左右的電壓。這個電壓在基準電壓建立后就產(chǎn)生了,主要用于為欠壓鎖定電路的數(shù)字部分供電,并且擔任了為整個系統(tǒng)的數(shù)字電路供電的任務。

1.3 5 V基準電壓源(REG)

  圖5為5 V穩(wěn)定電壓源(REG)的電路原理。其中P1、P2、P3、P4組成共源共柵結構,可以提高電流鏡的鏡像精度,同時提高電源抑制比。Q3、Q4、R 1、R2組成一個帶隙基準電壓,這樣可以減小額外的電流支路,降低功耗。Q1、Q2組成達林頓結構,增加輸出能力。P5、P6增加匹配,減小溝道長度調(diào)制效應。Q1、Q2、R3、R4、R5、R6、Q4、P5、P6組成一個負反饋環(huán)路,將REG電壓穩(wěn)定在5 V。圖中C具有兩種作用:1、記憶直流工作點;2、補償環(huán)路電容。

  穩(wěn)壓機理如下:當負載增加時,REG電壓下降,則Q4基極下降,集電極升高,經(jīng)過P5、P6,使得Q1、Q2基極升高,REG 電壓升高;反之亦然。

  REG電壓是片上多數(shù)模塊的供電電壓,驅(qū)動能力設計為4mA。

  

多模式開關電源控制芯片的低功耗設計方案

  圖5 5 V 穩(wěn)定電壓源

  1.4 4.3 V穩(wěn)定電壓源

  4.3 V 的穩(wěn)定電壓源(VDD-AD)用來在輕載時為系統(tǒng)供電,始終保持工作,在BURST模式下由它為模擬模塊供電。

  

多模式開關電源控制芯片的低功耗設計方案

  圖6 4.3 V 的穩(wěn)定電壓源

  是帶隙基準電壓,通過一個運放、一個達林頓結構的晶體管和一個電阻分壓網(wǎng)絡組成負反饋環(huán)路來產(chǎn)生4.3 V 的穩(wěn)定電壓。其穩(wěn)壓機理如下:當負載增大時,VDD-AD電壓下降,此時A點電壓下降,使運放的輸出上升,則Q1、Q2基極升高,REG電壓重新升高,獲得穩(wěn)定;反之亦然。

  VDD-AD是檢測模塊的供電電壓,設計驅(qū)動能力為2 mA.芯片負載減小時,關斷REG,減小了芯片的靜態(tài)功耗,這樣既能保證芯片的驅(qū)動能力,又同時降低了芯片的靜態(tài)功耗。

  

多模式開關電源控制芯片的低功耗設計方案

  圖7 REF-OK 電路的設計

  1.5 REF_OK模塊

  REF_0K模塊用以標志電源系統(tǒng)是否建立好,以控制決定供電單元是否正常開始工作。其中兩個比較參考電平REFOK1、REF0K2的關系始終保持為REFOK1

  表3 REF_OK 的基本功能表

  

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