新聞中心

EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2011-12-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  (以下簡(jiǎn)稱)是一種發(fā)光器件和光敏器件組成的光電器件。它能實(shí)現(xiàn)電—光—電信號(hào)的變換,并且輸入信號(hào)與輸出信號(hào)是隔離的。目前極大多數(shù)的輸入部分采用砷化鎵紅外發(fā)光二極管,輸出部分采用硅光電二極管、硅光電三極管及光觸發(fā)可控硅。這是因?yàn)榉逯挡ㄩL(zhǎng)900~940nm的砷化鎵紅外發(fā)光二極管能與硅光電器件的響應(yīng)峰值波長(zhǎng)相吻合,可獲得較高的信號(hào)傳輸效率。

  的結(jié)構(gòu)

  光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu)(剖面)如圖1所示。光耦輸入部分大都是紅外發(fā)光二極管,輸出部分有不同的光敏器件,如圖2所示。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  這里要說(shuō)明的是,圖2(c)的輸入部分有兩個(gè)背對(duì)背的紅外發(fā)光二極管,它用于交流輸入的場(chǎng)合;圖2(d)采用達(dá)林頓輸出結(jié)構(gòu),它可使輸出獲得較大的電流;圖2(e)、2(f)的輸出由光觸發(fā)雙向可控硅組成,它們主要用來(lái)驅(qū)動(dòng)交流負(fù)載。圖2(e)與圖2(f)的差別是圖2(f)有過零觸發(fā)控制(圖中的“ZC”即“過零”的意思),而圖2(e)沒有過零觸發(fā)控制電路。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  基本電路

  光耦的基本電路如圖3所示。圖3(a)的負(fù)載電阻RL接在發(fā)射極及地之間,圖3(b)的負(fù)載電阻RL接在電源Vdd與集電極之間。

  在圖3(a)中,輸入端加上Vcc電壓,經(jīng)限流電阻Rin后,有一定的電流IF流經(jīng)紅外發(fā)光二極管,IF與Vcc、發(fā)光二極管的正向壓降VF及Rin的關(guān)系為:IF=(Vcc-VF)/Rin。式中的VF取1.3V。IF的最大值由資料給出(一般工作時(shí)IF≤10mA)。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  發(fā)光二極管發(fā)光后,光電三極管導(dǎo)通,集電極電流Ic由Vdd經(jīng)光電三極管流過RL到地,使輸出電壓Vout=Ic×RL(或Vout=Vdd-VCE,VCE為光電三極管的管壓降)。

  圖3(b)的工作原理與圖3(a)相同,不再重復(fù)。圖3中輸入、輸出也可用各自的地。

  從圖3(a)可以看出;輸入端不加Vcc電壓,輸出端Vout=0V,輸入端加了Vcc電壓,負(fù)載得電,這個(gè)功能相當(dāng)于“繼電器”。如果在輸入端加幅值為5V的脈沖(如圖4所示),輸出端Vdd=12V,RL=10kΩ,則輸出的脈沖幅值接近12V,從這功一能來(lái)看,相當(dāng)于“變壓器”;若輸入電壓從0躍變到+5V,輸出則從0躍變到接近12V,它又可用作電平轉(zhuǎn)換。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  特點(diǎn)及應(yīng)用范圍

  光耦的主要特點(diǎn):輸入與輸出之間絕緣(絕緣電壓可達(dá)數(shù)千伏);信號(hào)傳輸為單方向,輸出信號(hào)不會(huì)對(duì)輸入信號(hào)有影響;能傳輸模擬信號(hào)也可傳輸數(shù)字信號(hào);抗干擾能力強(qiáng);體積小、壽命長(zhǎng);由于無(wú)觸頭,因此抗振性強(qiáng)。近年來(lái)由于生產(chǎn)工藝改進(jìn),SMT的發(fā)展,開發(fā)出性能更好、尺寸更小的光耦,它由DIP6管腳封裝改進(jìn)成4管腳封裝,不僅改小尺寸,并且減小了干擾,如圖5所示,但有一些公司其管腳仍按6管腳排列,如圖2所示。頂面有圓圈者為第1管腳,如圖6所示。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  由于該類器件有上述特點(diǎn),它主要應(yīng)用于隔離電路、開關(guān)電路、邏輯電路、信號(hào)長(zhǎng)線傳輸、線性放大電路、隔離反饋電路、控制電路及電平轉(zhuǎn)換電路等。

  光耦主要參數(shù)

  本文介紹NEC公司及TOSHIBA公司生產(chǎn)的一些常用的光耦及其主要參數(shù)。主要參數(shù)如表1及表2所示。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  這里要說(shuō)明一下電流傳輸比(CTR)這個(gè)參數(shù)的意義。CTR是Current Transfer Ratio 的縮寫。它是在一定工作條件下(IF及VCE),光耦的輸出電流Ic與輸入電流IF的比值,一般用百分比表示,其值低的從幾到幾十,高的從幾十到幾百,達(dá)林頓輸出型可達(dá)上千。CTR大,則在同樣的IF下,輸出電流Ic大,驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力也強(qiáng)(或者說(shuō)IF較小可獲得大的Ic)。

  這里順便指出,當(dāng)用作交流信號(hào)傳輸時(shí),必須考慮它的頻率特性。采用GaAs發(fā)光二極管及硅光電三極管的光耦,其最高工作頻率約為500kHz;其響應(yīng)時(shí)間小于10μs。

  在使用時(shí)要注意的紅外發(fā)光二極管的反壓VR一般是很低的,有的VR僅3V。因此在使用時(shí)輸入端不能接反,防止紅外發(fā)光二極管因反壓過高而擊穿(可在1腳、3腳接一個(gè)反向二極管來(lái)保護(hù),如圖4所示)。

  光耦的簡(jiǎn)易測(cè)量方法

  光電三極管輸出的光耦是應(yīng)用最廣泛的,若頂面印刷字跡或圓點(diǎn)看不清楚,可采用指針式三用表來(lái)測(cè)量,確認(rèn)哪個(gè)管腳是1腳,并且也可簡(jiǎn)易測(cè)出光耦的好壞。

  由于它是一個(gè)二極管及一個(gè)三極管c、e極組成的,所以用R×1k擋來(lái)測(cè)量是十分方便的。只要測(cè)出一個(gè)二極管:黑表筆接二極管的陽(yáng)極,紅表筆接二極管的陰極,其阻值約30kΩ,則黑表筆端即1腳。如圖7所示,其它三種測(cè)量都應(yīng)是R=∞(表筆不動(dòng))。若光電三極管的測(cè)量電阻不是∞,則此光耦不能用。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  應(yīng)用電路

  各種不同結(jié)構(gòu)的光耦可滿足輸入、輸出隔離;輸入與輸出共地或不共地;輸入、輸出是直流或交流,使用極為靈活,因此應(yīng)用極為廣泛,這里介紹一些典型應(yīng)用電路。

  1.隔離線性放大器電路

  如果將輸入的交流信號(hào)調(diào)制成與信號(hào)電壓成比例的調(diào)制電流,則經(jīng)光耦后再經(jīng)放大可實(shí)現(xiàn)隔離線性放大,電路如圖1所示。

  +5V電壓及限流電阻(R1及RP)給發(fā)光二極管一個(gè)偏置電流IFO (一般IFO取得大一點(diǎn),約10mA),交流信號(hào)電壓經(jīng)C1、R2后加在發(fā)光二極管上,疊加在IFO上形成調(diào)制電流。經(jīng)光耦后輸出調(diào)制的光電流,在R3上產(chǎn)生一個(gè)與輸入電壓成比例的調(diào)制電壓,此電壓經(jīng)C2隔直,交流成分則經(jīng)放大器放大輸出。

  這里要指出的是經(jīng)光耦的電-光及光-電轉(zhuǎn)換,線性度不是很高。為了減小失真,偏置的電流IFO要大,信號(hào)電壓產(chǎn)生的調(diào)制電流的峰值電流不超過5mA,可使輸出電壓失真較小。這種光電隔離放大器比隔離放大器要便宜得多。另外,光電三極管的地用表示(說(shuō)明與輸入電壓不共地)。

  采用PS2701有較好的線性度,輸入信號(hào)的頻率可在音頻范圍。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  2.市電監(jiān)測(cè)電路

  圖2是一種市電監(jiān)測(cè)電路,當(dāng)停電時(shí)報(bào)警。采用TLP126光耦經(jīng)限流電阻直接與市電220V連接,使光耦的發(fā)光二極管發(fā)光,光電三極管導(dǎo)通,使10kΩ電阻上的電壓接近Vdd(光電三極管的飽和管壓降小于0.5V),外接功率MOSFET(VT)的-VGS<1V,則VT截止,報(bào)警電路不工作。3.3μF電容是用來(lái)穩(wěn)定VT柵極的電壓,防止交流電壓過零使柵極電壓變化太大而產(chǎn)生誤動(dòng)作。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  市電停電時(shí),發(fā)光二極管無(wú)電流,光電三極管截止,VT 的-VGS=9V,VT導(dǎo)通,報(bào)警電路工作。

  Si9400是P溝道功率MOSFET,其主要參數(shù)是VDS=-20V,在VGS =-10V時(shí)RDS(ON)=0.25Ω,ID=±2.5A。8管腳SO封裝,管腳排列如圖3所示,使用時(shí),四個(gè)D要焊在一起,兩個(gè)S要焊在一起以便于散熱。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  3.防盜報(bào)警器電路

  一種用抽屜被撬防盜報(bào)警器電路如圖4所示。它由光遮斷器、遮斷片及有關(guān)電路組成。光遮斷器是一種光電傳感器,它由紅外發(fā)光二極管及光電三極管及黑色塑料外殼組成,其剖面如圖4左邊所示,其外形如圖4右邊所示。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  其工作原理與光耦完全相同,區(qū)別僅僅是它由遮斷片來(lái)阻擋光路使光電三極管截止;當(dāng)遮斷片后移,發(fā)光二極管的紅外光照到光電三極管,光電三極管導(dǎo)通。

  光遮斷器安裝在抽屜的底部,遮斷片裝在抽屜上,如圖5所示。要使防盜報(bào)警器工作,接通Vcc(+5V)及Vdd(+9V)。抽屜未被撬時(shí),遮斷片遮住光路,光電三極管截止,VT無(wú)ID,VT也截止,光耦(TLP169G)的發(fā)光二極管無(wú)電流,光觸發(fā)雙向可控硅截止,報(bào)警電路不工作。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  當(dāng)小偷撬開抽屜,拉出抽屜時(shí),遮斷片退后,光遮斷器光路通,光電三極管導(dǎo)通,VT相繼導(dǎo)通,光耦中的發(fā)光二極管工作,光觸發(fā)雙向可控硅導(dǎo)通,報(bào)警器電路工作。

  這個(gè)電路的特點(diǎn)是,一旦報(bào)警器工作,即使將抽屜關(guān)上,遮光片遮斷光路,但雙向可控仍然導(dǎo)通,報(bào)警電路仍一直報(bào)警,即使小偷發(fā)現(xiàn)光遮斷器,將它破壞,但報(bào)警電路還工作。按一下開關(guān)K斷開Vdd才能使報(bào)警電路不工作。

  這里VCC的地與Vdd的地不共地,圖中用兩種地的符號(hào)表示。

  由于光遮斷器有多種型號(hào),要求發(fā)光二極管的工作電流IF各不相同,必要時(shí)要調(diào)整R1的大小,使其滿足IF的要求。

  TLP160G的輸出部分光觸可控硅的最大工作電流在25℃時(shí)可達(dá)100mA(隨著溫度增加而減?。H魣?bào)警電路工作電流大于80mA,最好外接VT2,如圖6所示。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  4.交流固態(tài)繼電器電路

  TLP160G光耦用得最廣的是用作交流固態(tài)繼電器。它可以與外接雙向可控硅作簡(jiǎn)單連接來(lái)驅(qū)動(dòng)市電供電的各種負(fù)載。其電路如圖7所示。輸入三極管VT的基極的控制信號(hào)為高電平時(shí),VT導(dǎo)通,紅外發(fā)光二極管也導(dǎo)通(VCC 經(jīng)RIN、紅外發(fā)光二極管、經(jīng)VT的C、E極到地),光觸發(fā)雙向可控硅導(dǎo)通;這使外接功率較大的三端雙向可控硅導(dǎo)通,負(fù)載RL得電。其工作原理相當(dāng)于圖8中的控制開關(guān):K閉合,雙向可控硅導(dǎo)通;K斷開,雙向可控硅截止。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  如果將虛線框內(nèi)的電路做成一個(gè)單獨(dú)的模塊,它就是一個(gè)交流固態(tài)繼電器。圖7的電路適合于電阻性負(fù)載,若是電感性負(fù)載,電路中增加一個(gè)RC,如圖9所示。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用

  這種交流固態(tài)繼電器有一個(gè)缺點(diǎn),它的雙向可控硅不是在交流電過零時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通,其結(jié)果是正弦波不完整,這瞬間會(huì)產(chǎn)生對(duì)電網(wǎng)的干擾。外接三端雙向可控硅耐壓要大于400V,工作電流應(yīng)大于負(fù)載最大電流。

  5.過零觸發(fā)交流固態(tài)繼電器電路

  采用內(nèi)部有交流電過零時(shí)觸發(fā)電路(圖10中的“ZC”部分)的ILP161G光耦,可以做成過零觸發(fā)交流固態(tài)繼電器電路,如圖10所示。它能在交流電過零附近觸發(fā)雙向可控硅,使交流波形完整,不會(huì)造成對(duì)電網(wǎng)的干擾。其工作原理與圖9相同。圖中的39Ω及0.01μF RC電路是一種浪涌電壓吸收回路,它用來(lái)保護(hù)雙向可控硅免于瞬態(tài)的過壓而損壞。外接的三端雙向可控硅選擇方法與圖9電路相同。

  貼片式光電耦合器原理及其應(yīng)用



關(guān)鍵詞: 貼片式 光電耦合器 光耦

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉