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時(shí)鐘芯片的低功耗設(shè)計(jì)研究

作者: 時(shí)間:2011-11-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
經(jīng)過1:8分頻后的輸出電壓提升到標(biāo)準(zhǔn)工作電壓;后面部分為低頻部分,包括12級分頻電路,采用標(biāo)準(zhǔn)工作電壓。這一部分分頻電路可采用帶復(fù)位的鎖相環(huán),以實(shí)現(xiàn)對時(shí)鐘電路復(fù)位和測試的控制。

  由于和第一級分頻電路的輸入信號的頻率為晶振頻率,因此采用最低的工作電壓V dd1,以期將功耗降下來;對于第二級和第三級,采用的工作電壓V dd2比第一級略高;在第三級分頻后加一個(gè)緩沖器和電平轉(zhuǎn)換電路,采用的工作電壓V dd3高于V dd2,即V dd1

  前三級分頻器電路由靜態(tài)主從型D觸發(fā)器和傳輸門組成,時(shí)鐘信號通過傳輸門加到鎖存器兩端。前一級的輸出為后一級的輸入。通過Spectres軟件對前三級分頻器的輸出特性進(jìn)行仿真可知,當(dāng)工作電壓最低為2V左右時(shí),仍能保持正常工作,滿足設(shè)計(jì)要求。

  綜上所述,ASIC設(shè)計(jì)應(yīng)從多層次設(shè)計(jì)上考慮降問題。首先應(yīng)從CMOS電路的功耗為源探討降低功耗的電路的體系結(jié)構(gòu),然后針對各個(gè)功耗較大的電路,逐個(gè)進(jìn)行電路優(yōu)化和參數(shù)改進(jìn),從而實(shí)現(xiàn)對工作在高頻部分的電路的功耗進(jìn)行控制,以滿足整個(gè)芯片的低功耗設(shè)計(jì)要求。這種低功耗設(shè)計(jì)方法通過在低功耗上的設(shè)計(jì)得到很好的體現(xiàn)。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)和流片后測試,都驗(yàn)證了本文所提出的低功耗設(shè)計(jì)方案是可行的,不僅滿足了高性能低功耗的設(shè)計(jì)要求,而且可以縮短設(shè)計(jì)周期。


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