3G手機的RF屏蔽設(shè)計
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全部輻射測量都是在丹麥哥本哈根的Delta Technologies進行的。被測設(shè)備放在不吸收和不反射材料的表面(圖6)。在該測試中，RFMD的另一款TxM產(chǎn)品(RF3282)用作測試載體。
圖7顯示的是發(fā)自RF3282 TxM的輻射功率。紅色圖表示沒有屏蔽的TxM，藍色圖表示的是采用MicroShield屏蔽的TxM。注意：為更清楚地顯示兩種被測器件的差異，藍色圖被稍微右移。如圖所示，MicroShield集成RF屏蔽顯著降低了輻射功率。在10.5GHz僅有一個示警。它昭示著這兩種情況：或是存在另一種模式(腔模式)，或是結(jié)果也許與流經(jīng)屏蔽表面的地電流相關(guān)。但無論如何，對輻射功率的平均衰減可達15dB或更高。
我們討論了MicroShield屏蔽技術(shù)在抑制EMI和RFI方面的優(yōu)勢，該技術(shù)提升了滿足規(guī)約要求的能力。另外，MicroShield集成RF屏蔽還同時把外部EMI/RFI干擾的影響降至最低，從而弱化了手機設(shè)計中存在的性能漂移問題。
因手機設(shè)計師和制造商越來越依賴手機平臺來滿足其時間和成本要求，所以器件對PCB布局的敏感性是個關(guān)鍵因素。過去，當這些平臺被用于不同手機設(shè)計時，性能會被打折，具體表現(xiàn)在EMI和RFI輻射通常成為性能不一致的主要誘因。借助支持MicroShield的RF器件，手機制造商有能力像安放對EMI/RFI不敏感的任何器件一樣，安放高度復雜的RF模塊，從而提供了一種真正、可包容PCB改變和布局變化的“即插即用”方案。通過規(guī)避對PCB布局的敏感性，MicroShield避免了重新調(diào)節(jié)電路的風險，因此，加快了上市進度并降低了RF實現(xiàn)的成本。
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