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新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量技術(shù)

作者: 時(shí)間:2010-07-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  電流分辨率:5pA

  電流白噪聲:12pA

  電壓分辨率:5?V

  X-Y定位精度:10nm

  硅相位變化的例子

  對(duì)于研究探測(cè)過程中壓力導(dǎo)致的相位變換(參見參考文獻(xiàn)),硅是一種很好的材料實(shí)例。在探針加載/撤除過程中隨著探針壓力的增大/減小,處于移動(dòng)探針下的納米變形區(qū)內(nèi)會(huì)出現(xiàn)一系列相位變換。在加載探針的過程中,Si-I(菱形立方晶體結(jié)構(gòu))在大約11~12GPa的壓力下將轉(zhuǎn)變?yōu)镾i-II(金屬 β-Sn)。在撤除探針時(shí)隨著探針/樣本接觸壓力的減小,將會(huì)進(jìn)一步出現(xiàn)從Si-II到Si-III/XII的轉(zhuǎn)變。

  圖2給出了施加的壓力和測(cè)得的電流與探針位移之間的關(guān)系曲線。當(dāng)探針接觸硅表面時(shí),壓力-位移圖是一條相對(duì)連續(xù)的曲線,而電流-位移圖在大約 22nm的探針位移下出現(xiàn)不連續(xù)現(xiàn)象,表明發(fā)生了Si-I 到Si-II的相位變換。在逐漸撤除探針過程中,壓力-位移和電流-位移的測(cè)量結(jié)果中都明顯出現(xiàn)了Si-II到Si-III/XII的相位變換。這些變換出現(xiàn)得相當(dāng)突然,我們將其看成是突入(pop-in)和突出(pop-out)事件,并在圖2中標(biāo)明。

  探針加載/撤除的速度也會(huì)影響材料的電氣特性。例如,在硅表面從最大負(fù)荷壓力下快速撤除探針將會(huì)形成α-Si,表現(xiàn)出完全不同的電氣特征。這類測(cè)量對(duì)于諸如硅基MEMS和NEMS器件的研究是非常關(guān)鍵的。在這類器件中,對(duì)小結(jié)構(gòu)施加的小壓力會(huì)轉(zhuǎn)變成大壓力,引起材料內(nèi)部微結(jié)構(gòu)的變化,進(jìn)而決定材料的電氣和機(jī)械特性。

機(jī)械

圖2. 機(jī)械(壓力-位移)和電氣(電流-位移)曲線表明在p型硅的納米變形過程中出現(xiàn)了壓力導(dǎo)致的相位變換

結(jié)束語

  成功的開發(fā)和制備納米級(jí)材料和器件在很大程度上取決于能否定量地*測(cè)和控制它們的電氣和機(jī)械特性。nanoECR系統(tǒng)提供了一種直接、方便而定量的技術(shù),使研究人員能夠測(cè)出通過傳統(tǒng)方法不可能測(cè)出的材料特性/行為。除了硅之外,這種研究工具還能夠用于研究金屬玻璃、壓電薄膜、有機(jī)LED、太陽電池和LCD中的ITO薄膜,以及各種納米固體材料,使人們能夠洞察到薄膜斷面、錯(cuò)位成核、變形瞬態(tài)、接觸電阻、老化、二極管行為、隧道效應(yīng)、壓電響應(yīng)等微觀現(xiàn)象。


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