三大因素決定RF功率放大器未來(lái)市場(chǎng)格局
第一,市場(chǎng)整合已改變了產(chǎn)業(yè)形勢(shì):價(jià)格下跌、成本壓力和總體市場(chǎng)需求下降,已造成了競(jìng)爭(zhēng)慘烈的商業(yè)環(huán)境。這種趨勢(shì)注定要保持下去。
第二,“對(duì)于總有效市場(chǎng)(TAM)正在縮小的認(rèn)識(shí),真正開(kāi)始深深觸動(dòng)市場(chǎng)中每一個(gè)廠商?!盬ilson表示,“各廠商根據(jù)自己的市場(chǎng)地位,將需要認(rèn)真考慮對(duì)于堅(jiān)持這項(xiàng)業(yè)務(wù)的承諾。確實(shí),有些廠商能否幸存可能取決于它們進(jìn)入無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施以外的其它新領(lǐng)域、使其業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)多元化的能力?!?BR>
一些供應(yīng)商開(kāi)始提供垂直整合的基站半導(dǎo)體產(chǎn)品,試圖擺脫這樣的市場(chǎng)困擾;然而,Wilson觀察到:“這個(gè)極度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)由于規(guī)模太小,這樣銷售反而更加吃力?!?BR>
最后,一項(xiàng)新的技術(shù)看來(lái)將改變?cè)撌袌?chǎng)的特點(diǎn)。氮化鎵(GaN)很適用于某些類型的開(kāi)關(guān)型高效率放大器。該技術(shù)在過(guò)去兩年里取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,據(jù)ABI Research的分析,GaN有望在2011年對(duì)硅LDMOS構(gòu)成非??尚诺耐{。
評(píng)論