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基于SiC器件的高效E類功率放大器

作者: 時(shí)間:2014-07-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/259352.htm

圖7 漏極隨工作電壓的變化曲線

圖8 附加隨工作電壓的變化曲線

6 結(jié)論和展望

本文設(shè)計(jì),仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段,輸入輸出阻抗匹配電路均采用微帶線實(shí)現(xiàn)。在工作電壓設(shè)為35V,輸入功率為2.5W的情況下,實(shí)際測(cè)量的輸出功率可以達(dá)到32.5W,在頻率為900MHz附近,漏極可以達(dá)到64%,增益可以達(dá)到10dBm。從以上特性可以看出,基于SiC器件的E類功放具有很好的性能,在新一代的無線通信中將會(huì)有廣闊的應(yīng)用前景。


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關(guān)鍵詞: SiCMESFET E類功率放大器 效率

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