日益壯大的ROHM最新功率元器件產品陣容

　　今后產品擴充

　　SiC肖特基二極管和SiC MOSFET均計劃擴充耐壓1700V的產品系列。不僅如此，ROHM還正在開發(fā)可大幅降低芯片單位面積的導通電阻的、采用溝槽柵極結構的第3代SiC MOSFET。通過降低導通電阻和芯片成本，有望成為加速SiC普及的技術。

　　源于ROHM綜合實力的硅材質IGBT功率元器件

　　在要求高頻、耐高壓兼?zhèn)涞念I域，SiC功率元器件利用開關損耗小的優(yōu)勢，所發(fā)揮的效果尤為顯著。與此相對，具有價格優(yōu)勢的硅材質功率元器件的活躍領域仍舊很大。在這種背景下，ROHM在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領域也在進行特色產品的開發(fā)，比如同時擁有MOSFET和IGBT特點的“Hybrid MOS”的開發(fā)等。

　　在硅材質IGBT領域，ROHM不僅擁有單獨的半導體單體，作為綜合型半導體產品制造商，還擁有融合了集團綜合實力的復合型產品，相關產品陣容正日益擴大。下面介紹ROHM的硅材質IGBT功率元器件的產品陣容。

　　①IGBT單品

　　ROHM已推出兩種耐壓650V的IGBT元件產品。一種是RGTH系列，該系列不僅具備低飽和電壓特性(額定電流下1.6V typ.)，而且其設計非常重視轉換器電路所要求的高速開關性能，非常適用于開關電源的功率因數(shù)改善電路(PFC)、太陽能發(fā)電功率調節(jié)器的升壓電路等。另一種是RGT系列，該系列也具備低飽和電壓特性(額定電流下1.65V typ.)，而且具備逆變器電路應用中尤為需要的短路耐量保證(5μS)，很適合空調、洗衣機等白色家電、太陽能發(fā)電功率調節(jié)器、焊接機等的逆變器電路等應用。兩種產品系列均含有將超高速軟恢復FRD集于同一封裝內的產品。今后，ROHM計劃逐步完善1200V耐壓的產品系列、符合AEC-Q101標準的車載應用產品系列等的產品陣容。

　?、贗GBT IPM

　　ROHM的產品陣容中還新增了將低飽和電壓特性卓越的IGBT單品、超高速軟恢復FRD與柵極驅動IC、自舉二極管集成于逆變器的IPM(智能功率模塊)。(圖6)

　　圖6. ROHM的IGBT-IPM

　　下面是該產品的特點：

　　?采用應用了600V SOI工藝的柵極驅動IC，不會發(fā)生閉鎖引發(fā)的故障。

　　?自舉電路的限流電阻采用ROHM獨有的電流限制方式，抑制啟動時的浪涌電流的同時，實現(xiàn)上臂側浮動電源的穩(wěn)定化。

　　?配有UVLO、短路保護、溫度檢測功能等保護功能。

　　?采用業(yè)界頂級的低熱阻陶瓷絕緣封裝。

　　預計兩種面向白色家電和小容量工業(yè)電機驅動用途的系列產品--在低載波頻率(4～6kHz左右)下驅動、降低了飽和電壓VCEsat的“低速開關驅動系列”，和在高載波頻率(15-20kHz左右)下驅動、降低了開關損耗的“高速開關驅動系列” 將在2014年內實現(xiàn)量產(圖7)。

　　圖7. 適用不同載波頻率的系列產品擴充

　?、埸c火裝置用IGBT

　　作為車載應用的產品，ROHM推出了汽油發(fā)動機點火裝置用IGBT，預計將于2014年末開始投入量產(圖8)。

　　圖8. 點火裝置用IGBT的開發(fā)路線圖

　　該產品不僅保證該應用所要求的雪崩耐量(250mJ @25℃)，還實現(xiàn)了低飽和電壓特性。采用D-PAK封裝，并滿足汽車級電子元器件標準AEC-Q101的要求。

　　今后，繼推出集電極-發(fā)射極間保護電壓430±30V的產品之后，ROHM將通過集電極-發(fā)射極間保護電壓與雪崩耐量的組合，繼續(xù)進行機種擴充;并進行包括驅動IC在內的封裝一體化“點火裝置IGBT IPM”等所關注產品的開發(fā)。

　　結語

　　ROHM的功率元器件不僅在備受矚目的SiC半導體領域，在硅半導體領域也在不斷完善著產品陣容。今后也會繼續(xù)發(fā)揮ROHM從分立式半導體到IC全覆蓋的綜合實力，不斷推出滿足多樣化市場需求的產品。關于具體的產品數(shù)據、技術信息等，請登陸本公司的官網www.rohm.com.cn。