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適用于可見光通信的LED器件

作者: 時間:2015-01-13 來源:網(wǎng)絡 收藏

  臺灣中央大學的許晉瑋等人通過串聯(lián)的方式也有效提高了調制速率,其出發(fā)點也是基于對RC時間的優(yōu)化。假如N個相同的串聯(lián),電阻值將線性增加R總=N.R,而電容值線性降低C總=C/N.這樣雖然RC時間沒有發(fā)生變化。但是,一般器件都要外接負載,那么實際RC就是(N.R+R0)。C/N,因此,就小于單個相同面積的RC(RC+N.R0C),從而可以有效提高調制帶寬。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/268084.htm

  2.2降低載流子自發(fā)輻射壽命

  可見光(VLC)通信系統(tǒng)一般都工作在大電流區(qū)域范圍內,因此還需要研究不同電流下頻率響應。圖6是不同電流下,器件頻率響應曲線。外加驅動電流越大,電光轉換(E-O)的3 dB帶寬也會越大.從圖6可以看出,120 mA下調制頻率大約是40 mA下的2倍。主要因為激子復合幾率正比于注入載流子密度.大電流下,注入的載流子濃度增加,因而激子復合幾率增加,輻射復合載流子壽命降低,E-O快速響應。

  

 

  圖6不同電流對器件調制頻率的影響

  影響載流子自發(fā)輻射壽命的因素很多,一般來說,外部因素主要是來源于注入載流子的濃度;而內部因素主要是由于器件自身的結構以及其他復合通道等。

  伊利諾伊大學香檳分校的M. Feng等人,通過一種類似異質結雙極發(fā)光晶體管(HBLET)的LED將調制速率提高了一個量級,達到吉赫茲量級。HBLET是一種3端口發(fā)光器件(一個電輸入端、一個電輸出端、一個光輸出端),器件中量子阱有源區(qū)合并到基區(qū),提高了電學和光學的性質,而高速LED結構和HBLET相似。在60 mA驅動電流下,器件的E-O調制頻率高達7 GHz,但是功率很小,大約僅為13.8μW.圖7為器件(n-p-n結構)的結構示意圖,可以看到發(fā)射極接負電壓,基極和集電極(這個也叫漏極Drain)接正極,這樣發(fā)射結正偏,集電結反偏。因為基極和漏極同一電位,基極-漏極邊界沒有電荷分布積累,交流驅動下,在基區(qū)建立動態(tài)的發(fā)射極與漏極的電荷分布。因此,基區(qū)的過剩載流子自發(fā)輻射復合的壽命就大于從發(fā)射極到漏極的傳輸時間,使得載流子還沒有來得及復合,就被內建反向電場掃到漏極,僅保留快速的載流子復合發(fā)光,從而提高了調制速度。

  

 

  圖7高速Tilted-charge LED結構

  圖8給出了E-O的頻率測試結果。調制頻率非常高,并且隨著電流的增加,調制速度提高,在60 mA時達到7 GHz.這個結果和塑料光纖發(fā)光二極管(POF-LED)結果相同。但是存在一個很大的問題是,器件的功率非常小,3 V的正向偏壓下,驅動電流達到60 mA,所對應的光功率只有15μW,完全不適用于照明LED,不過該工作也提供了一種改進大功率LED帶寬的思路。

  

 

  圖8不同驅動電流IE下的頻率特性(電荷傾斜分布LED(25℃))

  材料中的載流子復合機制包括輻射復合、非輻射復合。表面等離激元耦合是除了前面兩者外第3種能量傳遞通道也能夠影響輻射復合載流子壽命,提高LED調制帶寬。

  加州理工學院的Koichi Okamoto等人首次在LED上利用表面等離激元,得到出光增加的效果。如圖9所示,載流子復合的能量轉換有多個途徑,包括輻射復合、非輻射復合以及量子阱-表面等離激元(QW-SP)耦合。非輻射復合不能產(chǎn)生光子,能量最終以熱的形式耗散掉了;輻射復合能夠產(chǎn)生光子,產(chǎn)生的光子有一部分能夠溢出器件,逃逸出的光子數(shù)能通過外量子效率反映。圖9中黑色箭頭表示QW-SP耦合的可能形式。載流子復合后能量沒有直接轉換為光子,而是耦合到距離比較近(30 nm左右)的表面等離激元中(SP),然后再以輻射的形式將能量放出到LED外面。這個過程的速度遠比輻射復合能量轉換速度快。490 nm波長下,差異明顯減小,這個是由于QW-SP耦合波長在藍光,因此長波長的位置,能量耦合減弱,差異減小。

  

 

  圖9電子空穴復合時QW與表面SP耦合

  通過Al組分調控以及delta摻雜技術,同樣可以實現(xiàn)LED器件帶寬的提高。Al組分調控,原理主要是改變能帶結構,實現(xiàn)空穴的有效注入,調控極化電場,從而實現(xiàn)調制帶寬的提高,300 mA工作電流下,帶寬從23.5 MHz提高到25.5 MHz;delta摻雜技術,實現(xiàn)了載流子的大量注入,從而降低了載流子壽命,實現(xiàn)相同電流密度下,調制帶寬的提高。圖10給出了delta摻雜后器件的眼圖。

  

 

  圖10 Delta摻雜的LED器件在40 mA的260 Mb/s眼圖

  3結束語

  隨著光效的提高和成本的降低,LED已經(jīng)被廣泛地應用于信息顯示和各種功能性照明??梢?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/光通信">光通信利用了LED相比傳統(tǒng)光源高光效和高響應速率的特點,在照明的同時,實現(xiàn)無線數(shù)據(jù)傳輸功能。常規(guī)的白光LED器件調制帶寬通常只有3~5 MHz,制約了可見系統(tǒng)帶寬的進一步提高,通過適當?shù)恼{整材料和芯片的結構,優(yōu)化器件工藝參數(shù),引入表面等離激元等新的輻射復合機制等方式能夠有效的提高LED器件調制帶寬,進一步拓展可見系統(tǒng)的應用范圍。

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關鍵詞: LED 光通信

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