NS推出兩款超小型的門極驅(qū)動器

美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) 推出兩款屬于高壓功率控制集成電路系列的最新產(chǎn)品，為直流/直流電源供應(yīng)系統(tǒng)提供兩個高效率的功率轉(zhuǎn)換解決方案。型號為 LM5111 的雙通道門極驅(qū)動器及型號為 LM5112 的單通道門極驅(qū)動器都采用業(yè)內(nèi)最小巧的封裝，而且設(shè)計非常靈活，因此是驅(qū)動大型功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的理想驅(qū)動器，最適用于交流/直流與直流/直流轉(zhuǎn)換器、馬達驅(qū)動系統(tǒng)及工業(yè)控制系統(tǒng)。

采用小型 LLP-6 封裝 (3 mm x 3 mm) 的 LM5112 芯片可與美國國家半導(dǎo)體的 LM5000 系列脈沖寬度調(diào)制控制器及 LM510x 系列半橋式驅(qū)動器組合，成為設(shè)計高性能直流/直流轉(zhuǎn)換器的理想芯片組。

美國國家半導(dǎo)體電源管理產(chǎn)品部市場營銷總監(jiān) Paul Greenland 表示：「美國國家半導(dǎo)體的電源管理芯片產(chǎn)品一直享譽業(yè)界，其特點是采用外型小巧、具有高度散熱能力的封裝。LM5111 及 LM5112 這兩款驅(qū)動器的推出顯示美國國家半導(dǎo)體秉承這個優(yōu)良傳統(tǒng)，繼續(xù)為系統(tǒng)設(shè)計工程師提供極具靈活性的電源管理技術(shù)，確保體積小巧的高效率功率轉(zhuǎn)換器可以充分發(fā)揮其性能。以 LM5112 為例來說，這款芯片雖然采用業(yè)內(nèi)最小、散熱能力更高的封裝，但仍可輸出強大的 7A 峰值門極驅(qū)動電流。這款芯片可與美國國家半導(dǎo)體任何一款脈沖寬度調(diào)制控制器組合成為全新的芯片組，為功率轉(zhuǎn)換器提供一個高速而完善的初級或次級電源解決方案。」

LM5112 芯片能以極高的速度操作，延遲時間也極短，而且可以輸出極高的峰值電流。這款芯片采用美國國家半導(dǎo)體的高壓模擬Bi CMOS-DMOS (ABCD) 技術(shù)制造，其復(fù)合式輸出驅(qū)動級內(nèi)含金屬氧化半導(dǎo)體 (MOS) 及雙極晶體管，而且兩者可以并行操作。由于 LM5112 芯片采用這樣獨特的組合，因此可以從電容負(fù)載超過 7A 的峰值電流，并且以高達 1MHz 的頻率驅(qū)動較大的功率 MOSFET。如此獨特的復(fù)合式驅(qū)動級有一個很重要的優(yōu)點，那就是操作時性能更為可靠，因為即使供電電壓及溫度出現(xiàn)波動，復(fù)合式驅(qū)動級可以減低這些波動所產(chǎn)生的影響，有助保持驅(qū)動電流的穩(wěn)定性。

LM5112 芯片也為輸入及輸出級提供獨立的接地及參考電壓管腳，以便支持采用分開供電設(shè)計的門極驅(qū)動配置。這款芯片設(shè)有雙邏輯電路接口，可以接收反相或非反相的信號，由于其接口具有這樣的靈活性，因此這款芯片可與市場上絕大部分控制器及微處理器相匹配。

LM5111 芯片設(shè)有兩個可輸出足 5A 峰值電流的驅(qū)動器，而且由于采用 SOIC-8 封裝，因此可以直接取替許多舊式的 CMOS 門極驅(qū)動解決方案。 LM5111 芯片的峰值輸出電流高達 5A，比上一代的技術(shù)只能輸出 2A 峰值電流優(yōu)勝，而且效率也比上一代技術(shù)高。雖然 LM5111 是雙通道的芯片而 LM5112 則是單通道的芯片，但兩者都采用同一的先進復(fù)合式驅(qū)動技術(shù)及負(fù)極輸出門極驅(qū)動技術(shù)。在正常操作情況下，LM5111 的兩條 5A 峰值電流驅(qū)動通道均各自獨立，但若有需要，這兩條通道可與輸入及輸出端并行連接，將峰值輸出驅(qū)動電流提高一倍至 10A，以便能夠以極高的效率及高達 1MHz 的速度驅(qū)動極大的功率 MOSFET。LM5111 芯片分別有三種不同的型號可供選擇，這三個型號都可各自接收三種不同的輸入信號。換言之，廠商客戶可以選擇非反相信號通道、反相信號通道或兩種信號都可同樣接收的通道。