ST發(fā)布了一款移動(dòng)磁盤應(yīng)用小功率前置放大器集成電路
L6316 IC設(shè)計(jì)采用ST先進(jìn)的硅鍺5層金屬制程,雖然功耗需求很低,但沒(méi)有影響任何產(chǎn)品性能,在便攜功率限制條件下,讀寫速率超過(guò)1.2千兆/秒。這款I(lǐng)C取得如此優(yōu)異的性能得益于ST新的寫驅(qū)動(dòng)區(qū)體系結(jié)構(gòu),ST將這新結(jié)構(gòu)命名為“連續(xù)匹配”技術(shù),并保證在寫入過(guò)程中始終是一個(gè)真正的差分全匹配阻抗驅(qū)動(dòng)器在工作。新的驅(qū)動(dòng)器體系結(jié)構(gòu)還實(shí)現(xiàn)了最高的有效寫入電壓,從而提高了數(shù)據(jù)的完整性(位錯(cuò)誤率)。
利用該產(chǎn)品以下的先進(jìn)功能,磁盤驅(qū)動(dòng)器廠商可以開(kāi)發(fā)下一代驅(qū)動(dòng)器的容量和速度,特別是2.5英寸臺(tái)式機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和新的2.5英寸形狀因數(shù)服務(wù)器驅(qū)動(dòng)器:
評(píng)論