Actel推出第三代以Flash為基礎(chǔ)器件為業(yè)界奠下最低價(jià)FPGA解決方案的標(biāo)準(zhǔn)

公司定位將針對(duì)超過50％的新FPGA設(shè)計(jì)；
全新單芯片ProASIC3器件會(huì)將Flash應(yīng)用推向市場主流

　　Actel公司宣布推出第三代以Flash為基礎(chǔ)的可編程邏輯方案，也是全球最低成本的現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 器件，名為ProASIC3和ProASIC3E系列，成功推動(dòng)該公司進(jìn)入一個(gè)新的競爭時(shí)代。ProASIC3/E系列是Actel因應(yīng)市場對(duì)全功能、高成本效益FPGA的強(qiáng)勁需求而設(shè)計(jì)，主要面向消費(fèi)、汽車及其它成本敏感的應(yīng)用領(lǐng)域。這個(gè)“以價(jià)值為基礎(chǔ)”(value-based) 的區(qū)間在FPGA市場中增長最快，預(yù)計(jì)今年可達(dá)到5億美元的規(guī)模。

　　Actel公司總裁兼首席執(zhí)行長 John East說：“過去10年來，F(xiàn)lash技術(shù)已發(fā)展成突破性的技術(shù)，對(duì)每個(gè)涉及領(lǐng)域都有著深遠(yuǎn)的影響。例如，F(xiàn)lash技術(shù)使到手機(jī)、照相機(jī)和錄像機(jī)的下一代產(chǎn)品發(fā)生了革命性的變化，現(xiàn)在則對(duì)可編程邏輯市場帶來同樣的沖擊。事實(shí)上，F(xiàn)PGA技術(shù)的主流平臺(tái)已出現(xiàn)根本改變，而Actel正好處于領(lǐng)導(dǎo)位置?！?/P>

　　Semico Research公司ASIC/SoC高級(jí)分析員Rich Wawryzniak指出：“隨著產(chǎn)品面市壓力和制造成本不斷飚升，F(xiàn)PGA正迅速占據(jù)傳統(tǒng)以單元為基礎(chǔ)主導(dǎo)的價(jià)值市場，包括消費(fèi)及汽車等，都講求非常高的安全性和低價(jià)格。Actel的ProASIC3/E器件具備低價(jià)位和安全的Flash結(jié)構(gòu)，是瞄準(zhǔn)PLD市場的良方?！?/P>

　　East稱：“新的ProASIC3器件是世界上最低成本的FPGA，而其性能和安全性比同類以SRAM為基礎(chǔ)的產(chǎn)品還優(yōu)勝。以Flash為基礎(chǔ)的FPGA可提供安全、低功耗、上電即行和可重編程的解決方案，透過媲美ASIC的單位成本，實(shí)現(xiàn)FPGA產(chǎn)品能快速推出市場的優(yōu)勢(shì)，有助舒緩大批量市場對(duì)ASIC需求的壓力?！?/P>

　　基于其成功的ProASIC Plus系列，Actel全新的單芯片器件具有64位、66 MHz PCI性能，是業(yè)界首個(gè)具備片上用戶Flash存儲(chǔ)器的FPGA。該器件的系統(tǒng)門密度范圍從3萬至300萬個(gè)，并提供先進(jìn)的安全I(xiàn)SP (系統(tǒng)內(nèi)可編程) 技術(shù)。

　　除了單位成本低之外，ProASIC3/E系列還可通過去除系統(tǒng)板上的多種器件，降低系統(tǒng)整體成本。舉例說，該系列器件無需外部引導(dǎo)程序或微控制器來支持器件編程，而其上電即行特性無需外部CPLD即可在上電期間讓系統(tǒng)運(yùn)行起來。器件數(shù)目的減少可節(jié)省線路板空間，從而提高可靠性、簡化庫存管理，以及降低總系統(tǒng)成本。

以Flash為基礎(chǔ)FPGA具有價(jià)格、性能和安全性優(yōu)勢(shì)

　　ProASIC3/E系列提供1024位 (128x8頁) 片上非揮發(fā)性用戶Flash存儲(chǔ)，以及基于多達(dá)6個(gè)板上鎖相環(huán) (PLL) 的時(shí)鐘調(diào)節(jié)電路。這種用戶可用的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器可用于多種系統(tǒng)應(yīng)用，包括IP設(shè)備尋址、用戶喜好選項(xiàng)存儲(chǔ)、系統(tǒng)校準(zhǔn)設(shè)置、設(shè)備序列號(hào)和/或庫存控制及日期設(shè)定。該器件還帶有高達(dá)504 kb嵌入式真實(shí)雙端口SRAM，以及604個(gè)用戶I/O，達(dá)致66 MHz、64位PCI性能。

　　與基于SRAM的FPGA不同，ProASIC3/E帶有安全機(jī)制，可防止外界對(duì)所有編程信息進(jìn)行訪問，而且采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的128位AES算法，確保重編程可以安全地在系統(tǒng)內(nèi)實(shí)行。在支持未來的迭代設(shè)計(jì)及現(xiàn)場升級(jí)時(shí)，更無需擔(dān)心寶貴的IP會(huì)被損壞或復(fù)制。該系列器件還集成了FlashLock，無需額外成本即可提供可重編程和設(shè)計(jì)安全的獨(dú)特組合。內(nèi)置的解密引擎和基于Flash的AES密匙使得ProASIC3/E成為當(dāng)今市場上功能最齊全的可編程邏輯方案。此外，非揮發(fā)性Flash技術(shù)還為該器件提供了低功耗和上電即行的優(yōu)點(diǎn)。

　　ProASIC3/E系列的非揮發(fā)和可重編程特性是通過業(yè)界領(lǐng)先的先進(jìn)Flash LVCMOS工藝實(shí)現(xiàn)，該工藝具有7層金屬 -- 6銅1鋁。標(biāo)準(zhǔn)CMOS設(shè)計(jì)技術(shù)用于實(shí)現(xiàn)PLL等邏輯和控制功能，因此具有可預(yù)測(cè)的性能。精細(xì)顆粒的結(jié)構(gòu)、增強(qiáng)的靈活布局，以及豐富的Flash開關(guān)，這些特點(diǎn)的完美結(jié)合使得該器件在高度擁擠的設(shè)計(jì)中的利用率高達(dá)到100％，并對(duì)性能的影響極微。

ProASIC3特點(diǎn)：

. 3萬至100萬個(gè)系統(tǒng)門

. 18至108 kb真實(shí)雙端口SRAM

. 81至288個(gè)用戶I/O

. 3.3V、64位、66MHz PCI

. 高達(dá)350 MHz外部系統(tǒng)性能

. 1.5V內(nèi)核電壓實(shí)現(xiàn)低功耗

. 1.5V、1.8V、2.5V和3.3V I/O工作電壓

. 可分組 (Bank) 選擇的I/O電壓 － 每芯片多達(dá)4組

 
ProASIC3E特點(diǎn)：

. 60萬至300萬個(gè)系統(tǒng)門

. 108至504 kb真實(shí)雙端口SRAM

. 多達(dá)604個(gè)用戶I/O

. 3.3V、64位、66MHz PCI

. 高達(dá)350 MHz外部系統(tǒng)性能

. 1.5V內(nèi)核電壓實(shí)現(xiàn)低功耗

. 1.5V、1.8V、2.5V和3.3V I/O工作電壓

. 可分組選擇的I/O電壓 － 每芯片多達(dá)8組