NS推出首款信號完整性的LVDS緩沖器

美國國家半導體公司宣布推出三款全新的信號調節(jié)緩沖器，這是該公司一系列領先業(yè)界的 LVDS 芯片的最新型號。這幾款緩沖器都設有傳送預加重及接收均衡功能，而且即使以高達 3.125Gbps 的速度傳送信號，也只有極少的抖動，功耗也比上一代的緩沖器少，是業(yè)界首系列同時具備這些優(yōu)點的 LVDS 芯片。美國國家半導體將會在今年內陸續(xù)推出另外十一款具備相若功能的 LVDS 芯片產(chǎn)品，其中包括交叉點開關、多路切換器/緩沖器以及分離器。
 
美國國家半導體的 DS25BR100、DS25BR110 及 DS25BR120 都是單通道的 LVDS 緩沖器，即使傳輸速度高達 3.125Gbps，仍可確保信號完整無缺。這三款芯片具有業(yè)界最低的 9ps 抖動 (典型值)，而且功率只有 100mW，也屬于業(yè)界最低的水平。美國國家半導體這幾款 LVDS 緩沖器能以極高速度驅動 FR-4 底板及電纜上的信號，最適用 于通信設備、儲存以及成像系統(tǒng)。例如，這幾款芯片能以 2.5Gbps 的速度驅動 10 米長的 InfiniBand 電纜或 40 英吋的 FR4 底板，而均衡器輸出端的殘余抖動只有 0.15UI。新一代串行數(shù)字接口 (SDI) 廣播級視頻路由器及家庭影院數(shù)字視覺接口 (DVI) 互連電纜也可利用這幾款緩沖器加強信號強度。
 
這幾款 LVDS 緩沖器可以提供 7kV 的靜電釋放保護與信號緩沖，適用於新一代的 90nm、65nm 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 以及專用集成電路 (ASIC)。
 
主要技術規(guī)格及特色
 
這幾款 3.125Gbps 的 DS25BR1xx 芯片都采用 8 引腳的 LLP? 封裝，并設有全差分信號路徑，可確保信號完整無缺，又可大大加強信號路徑的抗噪聲干擾能力。DS25BR100 芯片設有兩級的傳送預加重及接收均衡功能，因此是中繼器的理想之選。DS25BR120 芯片設有四級的預加重，因此是最理想的高性能驅動器，而 DS25BR110 芯片則設有四級的均衡功能，最適宜用作高性能接收器。
 
LLP 封裝體積小巧，大小只有 3mm x 3mm，不但可以節(jié)省電路板板面空間，而且其中的流通式引腳圖可以將芯片的內部抖動減至最少，使電路板的設計工作變得更為容易。這幾款緩沖器都可支持 LVDS、CML 及 LVPECL 輸入，而輸出則全面符合 LVDS 標準。差分輸入及輸出端都內置 100-Ohm 的電阻，以便降低芯片輸入及輸出的回波損耗，減少元件數(shù)目，以及進一步將電路板板面縮至最小。
 
如欲進一步查詢有關 3.125Gbps 的 LVDS DS25BR1xx 緩沖器系列的資料或訂購樣品及評估電路板，可瀏覽 http://www.national.com/pf/DS/DS25BR100.html 、 http://www.national.com/pf/DS/DS25BR110.html 及 http://www.national.com/pf/DS/DS25BR120.html 等網(wǎng)頁。如欲進一步查詢有關美國國家半導體接口產(chǎn)品的資料，可瀏覽 http://www.national.com/CHS/appinfo/interface/ 網(wǎng)頁。