ST推出2位每單元的256兆位NOR 3G手機(jī)閃存
新的256兆位閃存芯片為高性能代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)專門(mén)設(shè)計(jì),目標(biāo)應(yīng)用是第三代(3G)手機(jī)市場(chǎng)。在3G市場(chǎng)上,復(fù)雜程度越來(lái)越高的應(yīng)用和多媒體功能要求在一個(gè)物理面積很小的芯片上能夠提供巨大的存儲(chǔ)容量,而2位每單元技術(shù)將硅存儲(chǔ)陣列的容量擴(kuò)大一倍,從而大幅度縮小了芯片的尺寸和封裝。
M30L0R8000x0采用ST最先進(jìn)的0.13微米制造技術(shù),并采用尺寸緊湊的片級(jí)8x10mm TFBGA(薄型細(xì)節(jié)距焊球網(wǎng)格陣列)封裝。新器件的工作電源電壓1.8V(還有輸入輸出3V的產(chǎn)品),系統(tǒng)功耗很低,兼容最新的手機(jī)設(shè)計(jì)。ST是一個(gè)大型的存儲(chǔ)器供應(yīng)商,特別是在1.8V 手機(jī)NOR閃存市場(chǎng)上實(shí)力雄厚,新的芯片系列將會(huì)補(bǔ)充ST的移動(dòng)應(yīng)用產(chǎn)品,使本來(lái)產(chǎn)品種類已經(jīng)很齊全的產(chǎn)品變得更加完整。
ST還是多片封裝MCP的知名供應(yīng)商,MCP是在同一封裝內(nèi)集成不同類型的存儲(chǔ)器,以提高產(chǎn)品的可靠性,節(jié)省制造商的電路板空間。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),新的芯片預(yù)計(jì)采用MCP的方法集成PSRAM 和 LPSDRAM芯片,以滿足第三代手機(jī)的需求。
新器件兼容上一代的1位每單元產(chǎn)品,并在片內(nèi)執(zhí)行多電平單元結(jié)構(gòu)所需的處理功能。新產(chǎn)品采用非對(duì)稱塊存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),分為16兆位的存儲(chǔ)體和1個(gè)靈活的塊鎖定機(jī)制;其中15個(gè)存儲(chǔ)體中每個(gè)包含16個(gè)主塊,每塊由64千字組成;而1個(gè)參數(shù)體則包含15個(gè)主塊加上4個(gè)參數(shù)塊,這些參數(shù)塊或者位于存儲(chǔ)地址空間的頂部(M30L0R8000T0)或底部(M30L0R8000B0)。
在異步頁(yè)讀取模式下,連續(xù)字讀取時(shí)間20ns;而在同步突發(fā)讀取模式下,每時(shí)鐘周期數(shù)據(jù)輸出頻率高達(dá)66MHz;突發(fā)讀取可以跨躍體的界限操作,具有讀取暫停和繼續(xù)功能。M30L0R8000x0的多體存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)支持讀寫(xiě)同步,即在讀取一個(gè)存儲(chǔ)體的同時(shí),可以擦寫(xiě)另一個(gè)存儲(chǔ)體,讀寫(xiě)之間沒(méi)有任何延時(shí)。
每個(gè)塊可以單獨(dú)擦除;為了在另一個(gè)塊上進(jìn)行讀寫(xiě)操作,可以暫停在當(dāng)前塊上的擦除操作,等讀寫(xiě)完成后再繼續(xù)擦除操作??梢詴和T诋?dāng)前塊上的寫(xiě)操作,以便在其它任何一個(gè)存儲(chǔ)單元上讀取數(shù)據(jù)。每塊可以讀寫(xiě)100,000次以上,“緩存增強(qiáng)型出廠編程” (BEFP)提供高速編程功能,采用9V快速編程電源電壓,每字典型編程時(shí)間10微秒。
存儲(chǔ)器的指令集兼容業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可的JEDEC通用閃存接口(CFI)協(xié)議,從而確保不同類型的閃存之間相互兼容。安全性能包括一個(gè)出廠前編程的64位的唯一設(shè)備序列號(hào)和一個(gè)2112位用戶編程O(píng)TP(一次性編程)單元。為降低移動(dòng)應(yīng)用的功耗,新產(chǎn)品還提供一個(gè)自動(dòng)待機(jī)模式,在異步讀取期間,當(dāng)總線處于非活動(dòng)狀態(tài)時(shí),它可以自動(dòng)切換到待機(jī)模式。
評(píng)論