意法、英特爾新閃存公司前景難料

意法半導體(ST)、英特爾和私募基金公司Francisco Partners于日前正式宣布合資成立新公司，新公司合并后年營收達到36億美元，市場占有率超過40%。在價格如“過山車”一般直線下滑、需要不斷追求規(guī)?；c低成本化的閃存市場，這樣的出招既在情理之中、又在意料之中。此次英特爾、ST雙方聯(lián)手旨在沖擊閃存供應商頭號位置，未來能否達成所愿還存諸多變數(shù)。

過去時：成績單是虧損單 聯(lián)手意在救火

對于兩家公司而言，NOR閃存業(yè)務已成燙手山芋。翻閱2006年他們的成績單：2006財年ST的NAND和NOR閃存業(yè)務總營收為15.7億美元，虧損達5300萬美元；英特爾閃存業(yè)務在2006年總營收雖為21億美元，但虧損達到了6.38億美元

 而在2007年第一季度，依然虧損態(tài)勢不減。在2007年一季度兩家公司的閃存業(yè)務繼續(xù)虧損嚴重，ST閃存業(yè)務營收僅為3.23億美元，更是虧損了1700萬美元，創(chuàng)出歷史之最。英特爾閃存業(yè)務營收為4.69億美元，總虧損已達2.83億美元。iSuppli高級分析師Mark Devoss接受本報記者采訪時表示，2006年，ST和英特爾合計占有NOR閃存的40%，Spansion占31%，Samsung占9%。而在2007年第一季度，他們的市場份額下滑至36%，而Spansion增長至32%，Samsung上升到將近占13%。

 閃存業(yè)務2006年只占英特爾總營收的6%多一點，已是英特爾的雞肋業(yè)務，將之剝離主體業(yè)務成為不二選擇。而ST于2006年的營收為98.5億美元，在全球半導體業(yè)中排名位居前三強，它在高能效器件、汽車電子等諸多領域成績斐然，將閃存業(yè)務剝離亦有利于輕裝上陣。成立合資公司，不僅有助于英特爾與意法半導體能擺脫虧損的NOR閃存芯片制造業(yè)務對公司業(yè)績的影響。而且，兩者市占相加之后超過40%，有望打造一個全新的閃存王國。

意法半導體公司副總裁兼大中國區(qū)總經(jīng)理Bob Krysiak表示兩家早有合并之意。他指出，閃存市場特點決定取得成功需要大規(guī)模的制造和量產(chǎn)能力，在過去的兩年里，ST和英特爾都沒有在這一領域賺到錢，雙方意識到必須進行整合。早在一年前，兩家公司就開始探討合作的可行性。Bob Krysiak還表示，新合資公司在資金、制造能力等方面都得到了擴張，這是之前任何一家單獨公司都難以實現(xiàn)的。雙方還擁有關鍵的閃存技術，有強大的研發(fā)投入與實力。Bob Krysiak對新公司前景充滿信心

 根據(jù)雙方協(xié)議，意法半導體將把它的閃存資產(chǎn)賣給新成立的合資企業(yè)，包括它在與海力士半導體在中國興建的合資企業(yè)中的資產(chǎn)，而英特爾將出售它的NOR資產(chǎn)和資源。英特爾將在合資企業(yè)中獲得45.1%的權益，ST將擁有合資企業(yè)48.6%的權益。新公司預計于今年第四季度開始運營。談及對業(yè)界的影響，iSuppli高級分析師Mark Devoss表示，新合資公司將使NOR閃存平均銷售價格下降的趨勢減緩；另一方面，合資公司很難長時間維持40%的市場份額。雖然ST和英特爾的NOR業(yè)務有不同的客戶群，但他們不是第一大供應商就是第二大供應商，在某些手機制造商中的份額甚至超過80%。在合資后我們預計這些制造商會重新分配他們的NOR，而這意味著將為Spansion、Samsung、Toshiba帶來新的增長機會，這也是ST和英特爾成立合資公司所付出的代價

現(xiàn)在時：NAND競爭激烈NOR縮水 難關重重

意法半導體公司副總裁兼大中國區(qū)總經(jīng)理Bob Krysiak表示，此次合資公司英特爾以NOR投入為主，而意法半導體則NOR和NAND都供應，新合資公司NOR與NAND的生產(chǎn)比例大約為7∶3，未來還會增加相變存儲器產(chǎn)品的比例。

然而閃存市場增長正在趨緩。存儲器市場包括DRAM、閃存(分為NOR和NAND)、SRAM。半導體業(yè)專家莫大康表示，2006年全球存儲器總產(chǎn)值600多億美元，其中DRAM占330億美元，NAND為130億美元，NOR為85億美元。而今年整體存儲器市場處于供大于求的狀況。iSuppli高級分析師Mark Devoss指出，NOR和NAND閃存業(yè)面臨極大壓力，兩者都由于其售價(ASP)在2006年-2007年期間大幅度下降而受到嚴重影響。以512Mb NAND閃存來算已下降60%，因為NAND閃存容量已從64Mb擴展到32Gb，而從1Mb到1Gb不等的NOR閃存價格平均大概下降12%。

 雖然NAND市場走勢趨好，但NAND閃存競爭的戰(zhàn)國時代已然展開，制程升級不斷加快。三星4月29日宣稱將開始量產(chǎn)50nm級的16Gb MLC產(chǎn)品。而IM Flash Technology也于4月25日宣稱送樣50nm級16Gb MLC產(chǎn)品。此外，東芝計劃在2007年第二季度推出此產(chǎn)品。并且，IMFT將于2008年啟用35nm制程技術，采用35nm制程技術將進一步降低NAND閃存芯片生產(chǎn)成本。iSuppli高級分析師Mark Devoss表示，目前英特爾在NOR領域具有先進的65nm節(jié)點技術，但批量供應還主要基于130nm和90nm節(jié)點技術。ST也大致應用相當?shù)闹瞥碳夹g。所有的產(chǎn)品在200mm晶圓制造，目前還沒有跡象表明將轉到300mm晶圓制造。而何時會采用45nm技術，這主要是由新公司決定。因而，英特爾、ST合資企業(yè)如何在制程技術上先行，從而盡快降低生產(chǎn)成本，將決定它未來的市場表現(xiàn)

另一方面，存儲器的產(chǎn)能卻在激增。據(jù)SMA統(tǒng)計，2006年全行業(yè)投產(chǎn)7條存儲器生產(chǎn)線，今年將新投產(chǎn)9條，分別產(chǎn)能相應增加61萬片及91.5萬片(8英寸計)。而競爭對手也在加緊圈地，如最近東芝與新帝合作投資70億美元擴建12英寸廠生產(chǎn)NAND閃存。應用市場的增勢比預期的少，而產(chǎn)能激增，導致存儲器價格如同坐了“過山車”一樣直線下滑。莫大康表示，實際上市場對于NAND閃存的價格有個心理價位，如果降低30%，還有微利，但今年1-5月份，已下滑60%。<BR>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 反觀NOR閃存芯片市場亦在相應縮水。據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli的統(tǒng)計，由于受其他種類內(nèi)存芯片沖擊市場的影響，全球NOR閃存芯片業(yè)務在2007年第一季度的營收下降了12%，為19億美元。這直接給NOR閃存芯片的售價及整個產(chǎn)業(yè)帶來沖擊，在NOR閃存芯片市場想要尋找真正的增長已不現(xiàn)實

 在全球NOR閃存領域，Spansion目前坐頭把交椅。Spansion對于此次英特爾與意法半導體在閃存業(yè)務上的合并反應并不如想象中強烈?！拔覀兒芨吲d地看到NOR閃存行業(yè)的整合將使市場變得更為成熟。雖然我們將面臨一個更強大的競爭對手，但兩家公司在NOR閃存業(yè)務上合并后，將不再存在兩者間的第二貨源問題，這樣我們相信我們會有機會擴大我們的客戶群?！盨pansion總裁兼CEO Bertrand Cambou表示

Spansion表示，這將使客戶對供應商的選擇多樣化，市場價格也更趨于穩(wěn)定和理性，從而為Spansion提供了良好的機遇以獲取更多的市場份額。Spansion強調(diào)其競爭優(yōu)勢在于：我們?nèi)匀皇俏ㄒ灰患彝顿Y300mm晶圓制造能力的NOR閃存供應商，并且正在逐步實施我們具有突破性的計劃——在2007年實現(xiàn)65nm MirrorBit技術在300mm晶圓上的量產(chǎn)，以及在2008年推出45nm MirrorBit技術。我們堅信通過這些計劃的實施，Spansion將擁有NOR閃存行業(yè)最低的成本結構，并有能力創(chuàng)造差異化的增值解決方案

 而業(yè)界之所以對于合資公司存有疑問，表現(xiàn)在兩家巨頭公司對于未來的進一步投資沒有絲毫承諾。莫大康表示，存儲器業(yè)拼的是資金，需要采用最先進的制程及12英寸硅片高的產(chǎn)能。據(jù)說合資企業(yè)將承擔13億美元定期貸款和2.5億美元的循環(huán)信貸，更重要的事實是這些債務將都要由合資公司承擔。這意味著英特爾和意法將不再對其合資企業(yè)的約8000名員工及36億美元的年營收負責。英特爾和意法都沒打算向合資企業(yè)提供任何幫助，僅希望其自主奮斗?！柏撝厍靶小钡男潞腺Y公司要逾越這多重難關殊為不易。

將來時：相變存儲器能否重塑新格局

 而業(yè)界關注的是，將會于近年就會實現(xiàn)商用的相變存儲器。在2006年6月，英特爾與ST就曾合作開發(fā)一種結合了NOR閃存與NAND閃存特點的新技術PCM(相變存儲器)。據(jù)英特爾Roadmap顯示，相變存儲器其優(yōu)勢在于大于100萬個寫入周期，及大于10年的保存期，且無須刪除，直接就可改寫數(shù)據(jù)，因此性能要比DRAM強多倍，將來是要替代DRAM市場，它在初期目標市場將是手機和其他便攜式產(chǎn)品

ST公司曾稱，容量達數(shù)GB的PCM將采用45nm或32nm工藝、將在2007年后生產(chǎn)樣品，2008年后進行大量生產(chǎn)。英特爾曾表示，PCM產(chǎn)品可能會采用22nm工藝，這將意味著它的大量生產(chǎn)將在2010年之后。

但PCM亦不是英特爾和ST獨步天下的“獨門利器”。目前包括IBM公司、Spansion、三星、NEC和BAE公司等廠商在內(nèi)的其他許多公司也在努力開發(fā)PCM產(chǎn)品。Spansion開始研制結合了NOR與NAND閃存特點的芯片，三星電子推出了OneNAND和MSystems的mDOC等產(chǎn)品，這表明圍繞閃存新技術PCM的競爭已然拉開序幕，一輪新的較量就此展開。作為相變存儲器領域的領導者，英特爾與ST的合資公司能否借由PCM產(chǎn)品實現(xiàn)自我救贖，還要待兩三年后見分曉。

相關鏈接：多家機構看淡存儲器產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)

　　全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)日前下調(diào)全球半導體銷售額預估指出，2007年全球半導體銷售額將增長2.3%、達2535億美元。市調(diào)研究機構Gartner和iSuppli日前也調(diào)降對半導體業(yè)景氣預估，表示供過于求導致存儲器價格續(xù)跌為主因。上周投資機構美林則宣布調(diào)降對三星電子(Samsung Electronics)和4家存儲器供應商的投資評等，憂心市場供過于求問題將延續(xù)至下季度。WSTS也看淡存儲器產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，將2007年全球存儲器業(yè)銷售額預估更正為598億美元，下調(diào)幅度3.6%；對2008年銷售額預估則降低至641億美元，下調(diào)幅度高達5.5%。