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IBM、英飛凌與旺宏聯(lián)手推出PCM技術(shù)研究計(jì)劃

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作者: 時(shí)間:2005-05-24 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

   2005年5月23日,北京訊——、英飛凌和旺宏電子今日宣布,三方將聯(lián)手推出一個(gè)研究計(jì)劃,以便進(jìn)一步挖掘一種全新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)——相變內(nèi)存(PCM)的巨大潛力。

  盡管仍處于開(kāi)發(fā)早期階段,但這種技術(shù)在高速、高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面已經(jīng)顯示出巨大的潛力,并實(shí)現(xiàn)了斷電時(shí)的數(shù)據(jù)保護(hù)。此項(xiàng)技術(shù)的這些優(yōu)良特性將為從高性能服務(wù)器到消費(fèi)電子產(chǎn)品的多種應(yīng)用帶來(lái)巨大的利益。

  這種創(chuàng)新技術(shù)完美融合了在基礎(chǔ)材料和物理研究領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力,英飛凌在內(nèi)存技術(shù)研發(fā)及生產(chǎn)方面的超凡能力,以及旺宏電子在非易失性內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)。

  “此次合作再次增強(qiáng)了探索內(nèi)存應(yīng)用新技術(shù)的決心,”IBM研究院科技副總裁T.C. Chen說(shuō),“這個(gè)計(jì)劃的目的在于開(kāi)發(fā)用于高性能非易失性內(nèi)存的新材料,并在內(nèi)存芯片中對(duì)這些材料進(jìn)行評(píng)估。”

  “這項(xiàng)計(jì)劃再次顯示了英飛凌在新興內(nèi)存技術(shù)的評(píng)估和開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的強(qiáng)大動(dòng)力,”英飛凌內(nèi)存產(chǎn)品部技術(shù)與開(kāi)發(fā)高級(jí)副總裁Wilhelm Beinvogl表示,“通過(guò)這次凝聚著各個(gè)領(lǐng)域?qū)<抑腔鄣暮献鳎w凌進(jìn)一步延續(xù)了自己在合作研發(fā)方面的悠久歷史?!?

  “旺宏電子在非易失性內(nèi)存的獨(dú)立和聯(lián)合開(kāi)發(fā)方面有著悠久的歷史。此次PCM研發(fā)聯(lián)盟使我們?yōu)榭蛻糇非笞罴鸭夹g(shù)和最大價(jià)值的理念得到了進(jìn)一步延續(xù)。我們堅(jiān)信此次PCM聯(lián)合研發(fā)不僅能夠使非易失性內(nèi)存超越現(xiàn)有的浮柵和Nbit(2位/單元)技術(shù),同時(shí)還將帶來(lái)嶄新的市場(chǎng)機(jī)會(huì),”旺宏電子總裁兼首席執(zhí)行官吳敏求說(shuō)道。

  研究工作將由分別來(lái)自三家公司的約20~25名員工在IBM華生研究中心(美國(guó)紐約州約克鎮(zhèn))和阿莫頓研究中心(美國(guó)加州圣何塞)進(jìn)行。



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