Infineon為全緩沖DIMM提供首款測試芯片 —— 作者：eaw 時間：2005-06-01 來源：eaw 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 英飛凌科技公司(Infineon)宣布，首款高級內(nèi)存緩沖(AMB)測試芯片已順利通過測試。該芯片面向下一代采用DDR2動態(tài)隨機存儲器的服務器模塊，運行速率高達6.0 Gb/s，提供了相當大的系統(tǒng)裕度，并確保了最低誤碼率。AMB是完全緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(FB-DIMM)的核心部件，設計樣品將于2004年第四季度推出，并定于2005年下半年進入市場。www.infineon.com
加入技術交流群
評論