力晶用第二座12英寸廠　將導(dǎo)入90納米制程

    6月6日消息，3日力晶12B晶圓廠正式啟用，2000年時(shí)其第一座12英寸廠正式動(dòng)土，董事長(zhǎng)黃崇仁便許下諾言，未來(lái)投資我國(guó)臺(tái)灣絕對(duì)不會(huì)因經(jīng)濟(jì)因素而有所改變，并承諾接下來(lái)每2年要再興建1座全新12英寸廠，如今在12A及12B廠相繼完工啟用后，力晶為展現(xiàn)其深耕我國(guó)臺(tái)灣的決心，未來(lái)將再投入約新臺(tái)幣2,000億元（約合人民幣530.2億元）建造第三座及第四座12英寸廠，屆時(shí)有高達(dá)95％比重用于投資我國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)。 

    據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，3日黃崇仁于12B廠正式啟用典禮中表示，力晶對(duì)深耕我國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)的決心絕對(duì)不會(huì)有所改變，雖每年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)起起落落，不過(guò)再怎樣波動(dòng)，還是會(huì)依照當(dāng)初規(guī)劃每2年左右在我國(guó)臺(tái)灣興建1座全新12英寸廠，而正式啟用的12B便是對(duì)當(dāng)初承諾的最佳印證。 

    接下來(lái)力晶將在新竹科學(xué)園區(qū)第三期興建第三座12英寸廠，而第四座12英寸廠亦希望能建置在新竹附近，黃崇仁表示，力晶第一座12英寸廠（12A）月產(chǎn)能已達(dá)4.5萬(wàn)片的滿載水位，至于新啟用的12B廠，估計(jì)總投資額將近600億元（約合人民幣159.1億元），擁有1.4萬(wàn)平方公尺面積的無(wú)塵室，預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)能將可達(dá)到4萬(wàn)片，年底前12A加上12B 2廠總產(chǎn)能估計(jì)可上看7.5萬(wàn)片，2006年更將擴(kuò)充到約10萬(wàn)片產(chǎn)能。 

    黃崇仁進(jìn)一步指出，力晶當(dāng)前所有標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品已全數(shù)轉(zhuǎn)至12英寸廠生產(chǎn)，且是全球DRAM廠中唯一1家，因此對(duì)力晶而言，可說(shuō)擁有絕佳量產(chǎn)成本效益，而接下來(lái)2座12英寸廠也將同時(shí)專(zhuān)注于NAND型Flash芯片組制造，至于現(xiàn)有的 8英寸廠將逐漸轉(zhuǎn)為利基型晶圓代工服務(wù)。 

    總經(jīng)理謝再居表示，目前12B廠月產(chǎn)能已達(dá)1.5萬(wàn)片，依力晶規(guī)劃，2005年底12B廠投片量將由原先2～2.5萬(wàn)片提高至3～3.5萬(wàn)片，而產(chǎn)能擴(kuò)充到一定程度后，不排除將會(huì)獨(dú)自挪出一座12英寸廠全數(shù)投產(chǎn)NAND型Flash芯片組，估計(jì)未來(lái)半年到1年時(shí)間內(nèi)，力晶12英寸廠產(chǎn)能將會(huì)有約1萬(wàn)片轉(zhuǎn)移給瑞薩（Renesas）代工AG-AND型Flash芯片組。 

    至于90納米制程何時(shí)投產(chǎn)，黃崇仁則表示，2005年底會(huì)進(jìn)行試產(chǎn)，2006年將開(kāi)始漸采用90納米量產(chǎn)，然重要的是，即使2005年底還未采用90納米投產(chǎn)DRAM顆粒，但力晶標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒包含封裝測(cè)試成本，1顆256Mb的DDR顆粒報(bào)價(jià)將可低于2美元，謝再居也認(rèn)為，到2005年底前價(jià)格只要維持在2.5～2.8美元，對(duì)力晶來(lái)說(shuō)算是相當(dāng)不錯(cuò)。