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激光二極管發(fā)射控制的精密方法

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作者:NS公司Richard F. Zarr 時間:2005-06-27 來源: 收藏

在很多應(yīng)用中,用光來控制過程,重要的是保持恒定的光強度。在一些系統(tǒng)中,用簡單的LED或激光二極管生成光源來提供光照,然而,甚至開始定標過的光源將隨時間衰變。隨著LED表化,其電流/光發(fā)射比衰變,光強度將降低。若希望保持工廠設(shè)置的發(fā)射強度不隨時間變化,則需要控制電路來監(jiān)控發(fā)射和控制提供給光發(fā)射器的電流來保持輸出恒定。這種配量的應(yīng)用包括:用于精密光強度的光量度應(yīng)用,用于伺膠機械精確光定位和用于光基準的測試設(shè)備。圖1示出這種系統(tǒng)的框圖。
充電二極管101
硅光電二極管的結(jié)構(gòu)除P層非常薄外其他與PN結(jié)二極管類似。調(diào)節(jié)P層厚度適合于所檢測的光波長。光電二極管也具有電容,電容與所加反向偏置電壓成正比,其電型值為2_20PF。光電二極管有兩個端:陽板和陰板。二極管可用在正向模式(電流從陽板流向陰板)或反向模式(電流從陰板流向陽板)。當所用光電二極管處于反向模式(陽板負)時,它與給定頻良的光照是嚴格線性關(guān)系,這是?利的特性。線性特性使得建造控制電路變得相當容易。
典型設(shè)計
圖2示出采用運放的電路,用于分析控制環(huán)路。此電路驅(qū)動1個PNP晶體管,此晶體管為產(chǎn)生光發(fā)射的LED提供電流。光發(fā)射照射到光電二極管,光電二極管把光發(fā)射轉(zhuǎn)換為非常小的電流(通常為10μA)。在這種情況下,二極管用在反向模式,所以在無光呈現(xiàn)時,電流為零,但是光電二極管和放大器中的漏電流(也稱之為“暗電流”)是過載。此條件牽引由晶體管基極電阻所限制的電流,開始時晶體管處于飽和狀態(tài)。一旦電流開始流經(jīng)晶體管,叫LED或激光二極管將開始發(fā)射光。光電二極管把此部分光轉(zhuǎn)換為電流,流經(jīng)RG。隨著電壓趨于VBIAS(在圖2中為地),環(huán)路將閉合并保持驅(qū)動晶體管的電流來微持LED中的電流以保持恒定光強度(或光電二極管中的電流)。此構(gòu)成電路DC分析的基礎(chǔ)。圖3為用NS公司LmV2011精密運放實際實現(xiàn)電路。用NS的LM4041-1.2并聯(lián)基準產(chǎn)生基準電壓,提供固定的1.225V基準電壓。設(shè)置基準中的電流在10μA左右,這是工作電流的中間值。由兩個1%精度電阻器產(chǎn)生VBIAS,其值設(shè)置在1V左右。為了計算閉合控制環(huán)路中的光電二極管電流,VREF和VBIAS之差除RG。注意,為了此電路工作,VBIAS必須小于VRCF。對于10μA光電二極管電流,RG為0.2



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