FPGA奔向45納米

　　Altera公司技術開發(fā)副總裁Mojy Chian博士來到北京，在媒體座談會上介紹了該公司45nm IC開發(fā)的情況。他說，45nm相對65nm的優(yōu)勢要比65nm相對90nm的優(yōu)勢更大，同時開發(fā)難度也更高。Altera通過選擇正確的合作伙伴、采用“第一片硅投產”的方法以及協(xié)作設計和工藝開發(fā)的方式來實現(xiàn)2008年45nm FPGA的生產。

　　那個叫Moore的人真幸運。他沒有發(fā)現(xiàn)真正的物理定律。他只不過總結并預測了半導體產業(yè)的發(fā)展規(guī)律，但他可能比大多數(shù)發(fā)現(xiàn)真正定律的物理學家都著名。說他幸運，是因為那個所謂的“摩爾定律”還在延續(xù)。他應該感謝那些不斷挑戰(zhàn)半導體線寬極限的工程師們，是他們攻克了工藝上的一個又一個難關，使摩爾先生保持金身不敗。

　　降低半導體線寬或晶體管尺寸的誘惑仍在持續(xù)。每兩年，新一代的半導體工藝就會出現(xiàn)。這次，也就是從65nm到45nm，晶體管的密度又將提高一倍(65x65/45x45 = 2.09)。雖然開發(fā)成本隨著線寬的不斷縮小而非線性地急劇上升，但單個晶體管的成本仍然會降低。更重要的是，新一代的芯片功耗更低、速度更快。所以，快速搶灘下一代半導體工藝仍然是半導體。

　　廠商們玩不膩的游戲

　　這次不同的是，小蝦米們已經玩不起了。只有大佬們才有資本繼續(xù)玩下去：因為開發(fā)成本和技術門檻高得嚇人。成本高到什么程度?每條45nm代工廠(foundry)生產線投資需要30億美元，工藝開發(fā)需要10億美元。這還不算集成電路的設計費用。

　　技術挑戰(zhàn)的根源在于，45nm已經接近原子尺寸極限。門級氧化物只有3至4個原子大小，一個晶體管由很少的原子組成。在這個尺寸下，用于光刻的光的波長、晶體管的漏電、寄生電容等都是不容易解決的問題。在此背景下，IC設計和生產工藝之間的相互依賴更加緊密，IC設計者更要關心底層工藝問題。

　　因此Chian博士說，Altera與臺積電的合作是Altera研制45nm FPGA的首要前提。臺積電是排在Intel、三星、TI、ST和東芝之后的全球第6大半導體制造商。由于前5個公司不經營代工業(yè)務，所以臺積電實際上是世界上最具實力的代工廠。臺積電在研發(fā)、產能和質量控制方面都處于領先地位。對于Altera這樣的Fabless半導體供應商來講，與臺積電合作應當說是最好的選擇。Chian博士介紹說，Altera與臺積電有13年多的合作歷史，雙方合作緊密無間，合作關系已經超越了普通的業(yè)務關系，它們更像一個大公司的兩個部門：Altera是IC設計部門，而臺積電則是生產部門。

　　Chian博士介紹說了Altera所謂的“第一硅片投產”(first silicon to production)的設計方法。其特點包括可編程功耗技術，它使新一代芯片的功耗顯著降低;精確的晶體管模型，它實現(xiàn)了最佳的器件性能。另外，Altera在設計階段就考慮到了器件的可靠性，保證了器件的可生產性，即高成品率。

　　Chian博士著重介紹了Altera的測試芯片方法，它和建模、仿真一起成為“第一硅片投產”的基礎。測試芯片的目的是降低生產工藝和電路設計當中的不確定性風險，它是驗證新工藝和改進電路設計的手段，通過它可實現(xiàn)性能和可制造性兩方面的最佳平衡。在90nm和65nm工藝節(jié)點，Altera都使用了9款測試芯片。此次45nm節(jié)點他們將使用8款測試芯片。目前已經完成了4款，在2008年產品正式推出之前還要測試4款芯片。

　　業(yè)界曾預計臺積電最快于2007年底推出首顆45nm工藝客戶晶片。臺積電曾證實，45nm工藝研發(fā)團隊在順利將技術移轉給生產端后，將接手下一代22nm技術平臺開發(fā)，與目前32nm工藝研發(fā)團隊多路并進。臺積電預估32nm工藝最快于2009年試產，爭取延續(xù)每兩年一代的摩爾定律速度。

　　值得注意的是，今天市場對半導體器件的要求已經和過去不一樣了。過去，用戶最注重的是器件性能，其次是功耗，最后才是價格。隨著半導體器件性能的不斷完善，尤其是隨著中低端民用產品成為應用主流，市場首先看重的是成本，其次是功耗，最后才是性能。Altera的Cyclone系列系列FPGA就是為低成本應用而開發(fā)。Chian博士沒有透露下一代45nm FPGA產品具體的時間表，更沒有透露何時才會推出45nm Cyclone系列。估計Altera最早的45nm FPGA產品應該是面向對功耗和性能要求較高的中高端應用。

　　順便說一句，Mojy Chian博士不是華裔。他于70年代從中東移居美國，先后獲得了佛羅里達理工學院的電子工程學士、碩士和博士學位。Mojy Chian博士現(xiàn)定居于加州圣何塞市。