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德州儀器推出面向手持式設(shè)備的雙電壓電平 200mA LDO

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作者: 時間:2007-11-08 來源:EEPW 收藏

  日前, (TI) 宣布推出首款支持簡單動態(tài)電壓縮放的雙電平 200mA 低壓降 () ,該產(chǎn)品采用了微小型五球柵芯片級封裝。該器件具備很高的靈活性,對那些需要雙級輸出穩(wěn)壓、通過更大存儲器支持 eFUSE 或 SIM 卡編程的應(yīng)用而言非常適用,能滿足無線手持終端、PDA、智能電話、MP3 播放器以及其它手持式設(shè)備的需求。

  TI 新型 TPS728185315 支持 230 mV 超低壓降,其輸入電壓范圍為 2.7 V 至 6.5 V,固定輸出電壓范圍在 0.9 V 至 3.6 V 之間。 的 EEPROM 預(yù)設(shè)電壓選項(xiàng)為 1.85 V 與 3.15 V。LDO 可幫助設(shè)計(jì)人員設(shè)置 eFUSE 與 SIM 卡的可切換電壓,比方說可就熔絲編程或SIM卡檢測提供較高電壓,也可在編程結(jié)束時提供較低電壓。設(shè)計(jì)人員可在一定時間內(nèi)在兩種電壓之間進(jìn)行切換,不會出現(xiàn)過沖與下沖問題。動態(tài)電壓縮放還有助于降低漏電流,確保廣泛應(yīng)用于便攜式應(yīng)用中的集成百萬晶體管的亞微米處理器(如 TI 超低功耗 MSP430 微控制器)都能高效工作。

  集成式高精度帶隙與誤差放大器在不同負(fù)載、線路與溫度極限條件下的整體誤差不超過 2.5%。TPS728185315 在高達(dá) 1 MHz 寬頻率范圍內(nèi)不僅實(shí)現(xiàn)了高紋波抑制比 (PSRR) 與 160 µs 啟動時間,而且線路與負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)相當(dāng)出色。該器件可全面設(shè)置于 -40º C 至 125º C 的工作溫度范圍內(nèi)。

  TPS728185315 的關(guān)鍵特性:

  



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