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復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心將贊助最佳研究生論文競賽

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作者: 時(shí)間:2007-12-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  有限公司宣布舉辦第一屆復(fù)旦-諾發(fā)國際銅互連技術(shù)研討會(huì)最佳研究生論文競賽。

  由復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心贊助的最佳研究生論文競賽將在復(fù)旦-諾發(fā)國際銅互連技術(shù)研討會(huì)期間舉行,此項(xiàng)每年春季舉行的競賽將為在校研究生、研究人員以及全球半導(dǎo)體專業(yè)人士提供一個(gè)討論新型的、令人振奮的半導(dǎo)體制造技術(shù)的平臺(tái)。同時(shí),此次競賽也標(biāo)志著該研討會(huì)將進(jìn)入第五屆。

  入選文章作者將獲得相應(yīng)獎(jiǎng)勵(lì):獎(jiǎng)項(xiàng)共設(shè)金獎(jiǎng)一名、銀獎(jiǎng)兩名、銅獎(jiǎng)三名。

  復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心此次舉辦的2008 年研討會(huì)最佳研究生論文競賽的參賽領(lǐng)域包括:

  • 半導(dǎo)體制造和互連工藝中的新技術(shù);

  • Cu/Low k 集成技術(shù);

  • 面向45nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的PVD/CVD/ALD擴(kuò)散阻擋層和銅籽晶層;

  • CMP材料和制造技術(shù);

  • 干法工藝(溝槽結(jié)構(gòu)和雙鑲嵌工藝,干法刻蝕工藝,等離子體造成的損傷,等)

  • 先進(jìn)介質(zhì)材料(低介電常數(shù)介質(zhì),高介電常數(shù)介質(zhì),抗反射薄膜等)以及薄膜淀積工藝進(jìn)展;

  • 先進(jìn)電鍍技術(shù);

  • 金屬化的可靠性研究;

  • 先進(jìn)圖像轉(zhuǎn)移技術(shù)。

  諾發(fā)公司同中國大學(xué)的合作及其對(duì)中國學(xué)教育的支持可以回溯至 2003 年,就在這一年,諾發(fā)公司向捐贈(zèng)了一套銅半導(dǎo)體制造設(shè)備,并且建立了復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心進(jìn)行互連技術(shù)的研究。除研究和教學(xué)以外,從2004年起,該中心還成功地在舉辦每年一次的復(fù)旦-諾發(fā)國際銅互連技術(shù)研討會(huì)。

  關(guān)于學(xué)院

  于2002年成立于復(fù)旦大學(xué)學(xué)院 (SME)是復(fù)旦大學(xué)歷史悠久的微電子學(xué)專業(yè)和固態(tài)電子學(xué)專業(yè)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)在過去的二十年中取得了巨大的進(jìn)步,并于 1988 年成為國家重點(diǎn)學(xué)科。1992 年,該學(xué)科建立起了 ASIC & System 國家重點(diǎn)試驗(yàn)室。自組建以來,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院已經(jīng)取得了諸多成就,并發(fā)展成為一所優(yōu)秀的教育和研究機(jī)構(gòu),在很多領(lǐng)域都擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),例如:SoC 設(shè)計(jì)、IC CAD、新型半導(dǎo)體制造技術(shù)、結(jié)構(gòu)和器件以及微電子機(jī)械系統(tǒng)。



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