泰科電子推出新型SiBar浪涌抑制器件用于保護(hù)高速電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備
泰科宣布Raychem品牌的SiBar系列浪涌抑制器增加了新的產(chǎn)品。這些新的雙向瞬態(tài)電壓抑制器擴(kuò)大了電壓提供范圍并降低了電容值,可用于保護(hù)高速ADSL / VDSL調(diào)制解調(diào)器、以太網(wǎng)和以太網(wǎng)供電電路和其他高速通信設(shè)備,防止它們因?yàn)檫^(guò)電壓而受到損壞。
新的SiBar浪涌抑制器符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要標(biāo)準(zhǔn),并能對(duì)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中的50A、80A、100A (10/1000µs )系列的浪涌電流提供快速的雙向保護(hù)。
器件的關(guān)鍵性參數(shù):電壓范圍從6 V至400 V,電容低至12 pF,最大漏電流僅2 µA,最小保持電流為150毫安。器件有SMB(JEDEC DO-214AA)和SMA(JEDEC DO-214AC)兩種表面貼裝封裝可供選擇。
SiBar浪涌抑制器能夠保護(hù)敏感的電信設(shè)備和數(shù)據(jù)通信設(shè)備,防止包括雷擊在內(nèi)的瞬態(tài)過(guò)電壓事件造成的損壞,在浪涌電壓超過(guò)器件擊穿電壓時(shí)起分流作用。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)擊穿電壓時(shí),SiBar工作在保護(hù)特性曲線(xiàn)的低阻區(qū),形成一個(gè)低阻通路,有效地降低過(guò)電壓。SiBar器件保持低阻狀態(tài)直到流過(guò)該器件的電流下降到低于保持電流。在過(guò)電壓事件過(guò)去之后,SiBar器件自動(dòng)恢復(fù)到高阻狀態(tài),系統(tǒng)正常工作。
SiBar器件除了自恢復(fù)功能以外,還有尺寸小,通態(tài)功耗低,擊穿電壓準(zhǔn)確等特點(diǎn)。新推出的器件電容小,適合在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娐分惺褂谩?/P>
該器件符合RoHS的要求,與無(wú)鉛焊接和大批量貼裝的工藝過(guò)程兼容,可用于保護(hù)通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,包括模擬和數(shù)字線(xiàn)路卡、XDSL和ISDN調(diào)制解調(diào)器、機(jī)頂盒、T1設(shè)備以及VoIP設(shè)備等。
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