老化OLED器件中深電子俘獲的直觀研究

　　盡管對(duì)于商業(yè)化而言O(shè)LEDs的操作穩(wěn)定性非常重要，然而人們對(duì)OLED老化，也就是電致發(fā)光效率在某個(gè)超長(zhǎng)時(shí)間范圍逐步衰減的本征機(jī)制知之甚少。之前，我們發(fā)現(xiàn)OLED老化源于電子和空穴傳輸層界面及其附近深空穴俘獲的形成。現(xiàn)在，我們報(bào)道的是在NPB/Alq標(biāo)準(zhǔn)器件老化過程中復(fù)合區(qū)域附近深電子俘獲的形成，這種深電子俘獲也可以在受到短時(shí)間白光輻射的老化器件中有選擇的分布。這些深電子俘獲區(qū)域表現(xiàn)出弱的發(fā)光性能，發(fā)光效率據(jù)估計(jì)比Alq本身小100－150倍。短時(shí)間的白光輻射促進(jìn)了這些電子俘獲的形成，使OLED器件呈現(xiàn)一種0內(nèi)建電荷的狀態(tài)。接下來的驅(qū)動(dòng)電流導(dǎo)致(i)“早”電致發(fā)光脈沖 (ii)電子俘獲的釋放 (iii)使老化OLED達(dá)到一種實(shí)質(zhì)性的正內(nèi)建電荷的狀態(tài)。
   
　　盡管這些俘獲的化學(xué)特性尚不清楚，發(fā)光光譜的紅移，寬展，與電性質(zhì)老化形成Alq老化產(chǎn)物的結(jié)論相符合。這種電子俘獲的積累可能導(dǎo)致兩種發(fā)光效率的損失機(jī)制：(i)遷移空穴與俘獲電子直接復(fù)合產(chǎn)生一種近似不發(fā)光的激發(fā)態(tài)，和 (ii)OLED發(fā)光分子向未填滿電子俘獲分子的長(zhǎng)程能