一款新型架構(gòu)線性穩(wěn)壓器的嶄新應(yīng)用

　　在一個(gè)阻值為10kΩ的設(shè)定電阻兩端將產(chǎn)生約100mV的電壓降。這100mV電壓降也會(huì)出現(xiàn)在電流設(shè)定電阻的兩端，并把總輸出電流設(shè)定為0.1V除以輸出設(shè)定電阻阻值（加10μA）。如果需要，可以采用較高的壓降來(lái)改善準(zhǔn)確度。

                                圖5 面向通用型電源的跟蹤預(yù)穩(wěn)壓器

　　頻率補(bǔ)償利用一個(gè)連接在輸入引腳和輸出端之間的電容器來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)按圖示的方法進(jìn)行頻率補(bǔ)償配置，流過(guò)電容器的電流（對(duì)于低頻輸入變化）將被包含在反饋環(huán)路之內(nèi)，而且不會(huì)作為電容出現(xiàn)在器件的兩端。如果輸入電壓發(fā)生變化，則電流將會(huì)由于電壓變化的原因而流過(guò)電容器。當(dāng)電容器中的電流接近DC電流時(shí)，反饋環(huán)路將不能對(duì)AC電流進(jìn)行補(bǔ)償，而且AC輸出阻抗將減少。LT3080的低設(shè)定電流以及穩(wěn)壓環(huán)路的高增益使其成為一款出色的電流調(diào)節(jié)器。憑借一個(gè)僅0.3mA的低靜態(tài)電流，該電路適合于低至1mA或高至1A的電流源。電流源的溫度系數(shù)是穩(wěn)壓器的溫度系數(shù)加上電阻阻值隨溫度而發(fā)生的變化所產(chǎn)生的任何漂移。

　　由于LT3080能夠在低至0V的電壓條件下運(yùn)作，因而使其成為通用型試驗(yàn)室電源的合適之選。然而，如果工作電壓范圍很高，則實(shí)驗(yàn)室穩(wěn)壓器的功耗會(huì)變得非常高。圖5中的電路示出了一個(gè)與LT3080相連的開(kāi)關(guān)預(yù)穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器通過(guò)把輸入電壓控制在比輸出高大約1.5V的電平上而將功耗抑制在低至1.5W左右。

　　LT3080被連接至一個(gè)P溝道FET的柵極和源極。該P(yáng)溝道FET的“接通”門(mén)限設(shè)定了LT3080兩端的壓差電壓。P溝道FET的漏極與一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的反饋引腳相連。

　　當(dāng)該電路被接通時(shí)，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器輸出將上升，直到流過(guò)P溝道FET的電流足以使反饋引腳（FB）的電壓升至1.2V為止，這會(huì)降低開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的輸出。LT3080隨后將在其兩端加有約一個(gè)MOS門(mén)限電壓的條件下運(yùn)作。調(diào)整LT3080的設(shè)定電阻可設(shè)定輸出電壓，且輸入電壓將跟蹤比輸出高1.5V的電壓。

　　圖6示出了一款功耗更低的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。這里采用的是一個(gè)PNP的射極-基極電壓，而不是P溝道FET的門(mén)限電壓。當(dāng)把多個(gè)LT3080器件并聯(lián)起來(lái)以提供高電流時(shí)，這將把功耗抑制在更低的水平上。該電路要求把LT3080的輸入引腳連接至輸入電壓，以確保在控制電路兩端具有足夠的工作電壓。于是，一個(gè)PNP射極-基極電壓將把LT3080的輸出晶體管兩端的電壓設(shè)定為0.6V。這樣，1A電流條件下的功耗僅為0.6W。同樣，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器將跟蹤輸出，而且輸出可被調(diào)節(jié)低至0V。

                                   圖6 用于較高電流電源的預(yù)穩(wěn)壓器