用于高功率發(fā)光二極管的覆銅陶瓷基板(07-100)
—— 用于高功率發(fā)光二極管的覆銅陶瓷基板
作者：Electro-Thermo公司 Alfred Dehmel，Dr. Jürgen Schulz-Harder，Alexander Roth，Ingo Baumeister
時(shí)間：2009-03-04
來源：電子產(chǎn)品世界
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對于封裝型發(fā)光二極管的研究，我們使用了Lumileds Luxeon V (數(shù)據(jù)取自公開數(shù)據(jù)單)以作模擬，同時(shí)視察了優(yōu)化散熱的布局模式之熱分布結(jié)果。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/92046.htm 
圖8 幾何模型
材料是用一塊鋁覆銅基板1 mm Al / 75 μm絕緣介質(zhì)/70 μm Cu (介質(zhì): 2,2 W / mK)。邊界條件是把散熱器固定于攝氐20度。至于晶粒直焊基板模擬，我們使用一個(gè) 2x2mm的 GaAs正方型體，使用的軟件是 IcePack。
封裝型發(fā)光二極管的模擬結(jié)果
基板物料 RB 的熱阻顯示了和絕緣物厚度的相依性(圖9)。在封裝型發(fā)光二極管中，測量到最低值的靜態(tài)基板熱阻是0.3 K/W。
圖9 模擬熱阻(包括擴(kuò)散)
封裝內(nèi)的溫度分布顯示了大多數(shù)的熱能都分布在封裝內(nèi)的金屬片上。
圖10 結(jié)到基板的總熱阻
因此參考整體熱阻RJ-B顯示出基板熱阻的降低并未對發(fā)光二極管的芯片有很大的作用。 雖然溫度有肯定性的減低， Rth跌幅并不很明顯。這是因?yàn)榉庋b本身的熱阻太高而即使基板的熱阻降低卻未能影響到整體結(jié)果。
圖11 結(jié)到基板的總模擬熱阻
當(dāng)其封裝的熱阻要求再下降，封裝型發(fā)光二極管的情況需重新評估。
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