- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
- 關鍵字：
三菱電機 SiC 柵極絕緣層
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
- 關鍵字：
三菱電機 SiC
- 摘要本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800
- 關鍵字：
三菱電機 IGBT
- 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
- 關鍵字：
三菱電機 SiC
- 三菱電機從事SiC器件開發(fā)和應用研究已有近30年的歷史，從基礎研究、應用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機一直致力于開發(fā)和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發(fā)展史。三菱電機從上世紀90年代已經開始啟動SiC相關的研發(fā)工作。最初階段，SiC晶體的品質并不理想，適合SiC的器件結構和制造工藝仍處于探索階段，但研發(fā)人員堅信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件，因此一直致力于相關研發(fā)。三菱電機于2003年開發(fā)出耐壓2
- 關鍵字：
三菱電機 SiC器件
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合
- 關鍵字：
三菱電機 安世 SiC 功率半導體
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關鍵字：
Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動Si
- 關鍵字：
三菱電機 安世 SiC
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司。據外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業(yè)務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
- 關鍵字：
三菱電機 Denso 碳化硅
- 近日，美國激光技術與加工系統(tǒng)供應商Coherent和三菱電機宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達成項目合作，將在200毫米技術平臺上擴大SiC電力電子產品的規(guī)模化生產。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設基于200mm技術平臺的SiC功率器件新工廠，并加強相關生產設備。根據諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產的SiC功率器件開發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
- 關鍵字：
三菱電機 Coherent 8英寸 SiC襯底
- 1800億只，是寧波康強電子股份有限公司沖壓引線框架的年產能。從1992年開始，康強電子深耕半導體封裝材料領域，以技術創(chuàng)新為驅動，穿越行業(yè)周期，不斷發(fā)展壯大。其三大業(yè)務領域引線框架、鍵合絲與電極絲均為國內翹楚，其中引線框架產銷量在國內同行中連續(xù)數年排名第一，全球市場占有率位居前七，榮獲“中國半導體材料十強企業(yè)”“中國電子材料50強企業(yè)”等榮譽稱號。2022年10月，國家級第四批專精特新“小巨人”企業(yè)的認定，不僅堅定了康強電子在這一細分領域的發(fā)展信心，更為三菱電機謀劃未來打開了新的機遇之窗。客戶痛點：精益求
- 關鍵字：
三菱電機 專精特新
- 三菱電機集團近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDIP?系列能夠滿足逆變器單元更廣泛的功率和尺寸需求，有助于簡化和縮小空調、洗衣機和冰箱等多功能和復雜產品的體積。30A的高額定電流將助力簡化和縮小家電應用中的逆變器系統(tǒng)三菱電機集團近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDI
- 關鍵字：
三菱電機 功率半導體模塊
- 據三菱電機官網消息，該公司決定退出液晶面板生產，其全資子公司Melco Display Technology Inc。（MDTI） 將于2022年6月結束TFT-LCD模組生產。圖源：鉅亨網 官網顯示，MDTI于2002年4月成立，公司預定以法人身份進行清算，在該公司工作的約 430 名員工，也將異動至動力半導體等部門。不過該公司位于日本熊本縣菊池市的工廠，目前還尚未決定如何處置?！ ぃ怆姍C的LCD業(yè)務目前主要集中于工業(yè)和汽車用中小
- 關鍵字：
三菱電機 液晶面板 LCD
- 近日，據外媒報道，日本三菱電機公司宣布已開發(fā)出一種緊湊的LiDAR（激光雷達）解決方案，據稱，該解決方案集成了微機電系統(tǒng)（MEMS），實現了超寬的水平掃描角度，可以準確探測自動駕駛系統(tǒng)前方物體的形狀和距離。
- 關鍵字：
三菱電機 激光雷達 自動駕駛
三菱電機介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條三菱電機!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對三菱電機的理解，并與今后在此搜索三菱電機的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
