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光刻行業(yè)遭雙重打擊 下一代技術(shù)面臨難題

  •   曾經(jīng)看來大有希望的遠紫外(EUV)光刻技術(shù)面臨著重重困難,193納米沉浸式技術(shù)似乎成為了必然的選擇,但成本高昂,而且很難延伸到16納米節(jié)點以下。半導(dǎo)體光刻工藝正面臨著技術(shù)和成本方面的雙重壓力。    半導(dǎo)體光刻工藝面臨技術(shù)和成本壓力    光刻行業(yè)正遭到雙重打擊:對用于集成電路生產(chǎn)的遠紫外光刻技術(shù)而言,機會窗口在慢慢關(guān)閉;而最有希望的一項替代技術(shù)即193納米沉浸式光刻技術(shù)卻成本高昂,于是行業(yè)陷入一片混亂當中。成本增加會對芯片尺寸的繼續(xù)縮小帶來嚴重的影響。    在近期國際
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下一代技術(shù)介紹

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