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中波Q表的原理及實現(xiàn)方法介紹

  • 原理:R4兩端輸出超低阻抗的信號電壓源,串聯(lián)在LC諧振回路中。當電路發(fā)生諧振時,L和C的感抗和容抗相消,回路只剩下只剩下R4與LC諧振器的損耗電阻r兩者串聯(lián)。并R4兩端的電壓就是r兩端的電壓。這樣,我們只在測量出R4
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啟動組件在全固態(tài)中波發(fā)射機中的應(yīng)用

  • 摘要:目前大部分中波發(fā)射臺已更新為美國哈里斯公司生產(chǎn)的全固態(tài)調(diào)幅中波發(fā)射機DX200,該發(fā)射機有一套獨立的整流系統(tǒng)。整流機柜的啟動組件是發(fā)射機主電源正常啟動時的必經(jīng)環(huán)節(jié)之一,點火板和晶閘管又是作為整流機柜中
  • 關(guān)鍵字: 發(fā)射機  應(yīng)用  中波  固態(tài)  組件  啟動  

場效應(yīng)管及其在DX中波發(fā)射機中的應(yīng)用

  • 摘要:文中簡單介紹了場效應(yīng)管和功率MOS管,并通過場效應(yīng)管在DX中波發(fā)射機中實際應(yīng)用的例子,說明了場效應(yīng)管,特別是IR功率MOS管在當代大功率中波發(fā)射機中的應(yīng)用。
    關(guān)鍵詞:功率MOSFET;功率放大

    1960年貝爾
  • 關(guān)鍵字: 發(fā)射機  應(yīng)用  中波  DX  及其  效應(yīng)  

中波Q表原理介紹及實現(xiàn)方法

  • 原理:R4兩端輸出超低阻抗的信號電壓源,串聯(lián)在LC諧振回路中。當電路發(fā)生諧振時,L和C的感抗和容抗相消,回路只剩下只剩下R4與LC諧振器的損耗電阻r兩者串聯(lián)。并R4兩端的電壓就是r兩端的電壓。這樣,我們只在測量出R4
  • 關(guān)鍵字: 方法  實現(xiàn)  介紹  原理  中波  

中波Q表制作原理及實現(xiàn)

  • 原理:R4兩端輸出超低阻抗的信號電壓源,串聯(lián)在LC諧振回路中。當電路發(fā)生諧振時,L和C的感抗和容抗相消,回路只剩下只剩下R4與LC諧振器的損耗電阻r兩者串聯(lián)。并R4兩端的電壓就是r兩端的電壓。這樣,我們只在測量出R4
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中波介紹

  一般中波廣播(MW: Medium Wave)采用了調(diào)幅(Amplitude Modulation)的方式,在不知不覺中,MW及AM之間就劃上了等號。實際上MW只是諸多利用AM調(diào)制方式的一種廣播.像在高頻(3-30MHz)中的國際短波廣播所使用的調(diào)制方式也是AM,甚至比調(diào)頻廣播更高頻率的航空導(dǎo)航通訊(116-136MHz)也是采用AM的方式,只是我們?nèi)粘Kf的AM波段指的就是中波廣播(MW [ 查看詳細 ]

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