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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 低功耗內(nèi)存

SK海力士正在開(kāi)發(fā)低功耗LPDDR5M：能效提高8%

  • 2月28日消息，SK海力士正致力于開(kāi)發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計(jì)將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中，使其在本地運(yùn)行密集型操作時(shí)消耗更少的電量，從而滿足設(shè)備制造商對(duì)高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時(shí)，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進(jìn)展
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美光低功耗內(nèi)存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺(tái)提升混合現(xiàn)實(shí)(MR)與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)體驗(yàn)

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現(xiàn)已通過(guò)高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)?(XR)?平臺(tái)——第二代驍龍? XR2?驗(yàn)證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功
  • 關(guān)鍵字： 美光  低功耗內(nèi)存  XR2平臺(tái)  混合現(xiàn)實(shí)  MR  虛擬現(xiàn)實(shí)  VR  
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低功耗內(nèi)存介紹

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