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LM386低電壓音頻功率放大器的原理與典型應(yīng)用電路圖

  • LM386是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的音頻功率放大器，主要應(yīng)用于低電壓消費(fèi)類產(chǎn)品。為使外圍元件最少，電壓增...
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低電壓交流電LED照明驅(qū)動(dòng)選擇及電路設(shè)計(jì)

  • 低電壓交流電LED照明應(yīng)用興起所有低電壓交流電照明系統(tǒng)使用的是一種獨(dú)立式主電源，這個(gè)主電源提供脫機(jī)交流電...
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新型數(shù)字源表專為低電壓測(cè)試而優(yōu)化

  • 吉時(shí)利儀器公司日前推出專為低電壓測(cè)試而優(yōu)化的低成本方案—2400系列數(shù)字源表。新推出的2401型數(shù)字源表與所有吉時(shí)利SMU(源測(cè)量單元)儀器一樣，對(duì)光伏(太陽能)電池、高亮度LED(HBLED)、低壓材料和半導(dǎo)體器件的電
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驅(qū)動(dòng)器特性：低電壓AC LED應(yīng)用2

  • 小型數(shù)組設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)重重　降低電容溫度勢(shì)在必行另一個(gè)極端的設(shè)計(jì)范圍是小型數(shù)組設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)可能是單一LED組件或是一個(gè)單獨(dú)的組件中包含三個(gè)組件，可讓1瓦變成3瓦的現(xiàn)代化LED照明效率解決方案，在環(huán)境和公園照明設(shè)備中
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驅(qū)動(dòng)器特性：低電壓AC LED應(yīng)用放光芒

  • 低電壓交流電照明系統(tǒng)在市場(chǎng)上愈來愈受歡迎，從室內(nèi)重點(diǎn)照明(Accent Lighting)到一般的軌道燈，乃至于應(yīng)用在戶外照明系統(tǒng)。零售商和家居建材行如IKEA和Home Depot已經(jīng)將這些技術(shù)迅速而廣泛的傳達(dá)給顧客，使電源系統(tǒng)納
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光伏充電控制和低電壓負(fù)載斷開電路太陽能發(fā)電

  • 標(biāo)簽：模擬 電子 IT 半導(dǎo)體 SPC2 6安培太陽能發(fā)電中心簡(jiǎn)介SPC2是太陽能發(fā)電中心，它可以用來處理所有小12伏的太陽能供電設(shè)備的電源功能。它包含了光伏充電控制器和低電壓負(fù)載斷開電路。低電壓斷開，具有通斷開關(guān)的負(fù)
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SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑
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SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑
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雙低電壓理想二極管控制器

  • LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向
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風(fēng)力發(fā)電機(jī)低電壓穿越技術(shù)

  • 低電壓過渡能力：Low Voltage Ride Through ，LVRT ;Fault Ride Through ，F(xiàn)RT曾稱“低電壓穿越”。定義：小型發(fā)電系統(tǒng)在確定的時(shí)間內(nèi)承受一定限值的電網(wǎng)低電壓而不退出運(yùn)行的能力。一、風(fēng)力發(fā)電機(jī)低電壓穿
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低電壓高效率微波功率放大器研究與設(shè)計(jì)

  • 摘要 介紹了一種應(yīng)用于低電壓的微波雙極性晶體管放大器的電路設(shè)計(jì)方法。通過分析微波晶體管的模型，比較了小信號(hào)法、負(fù)載牽引法和文中使用匹配方法對(duì)輸出功率、效率和線性度的影響。文中設(shè)計(jì)了一款可以用于GSM通信終
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SoC用低電壓SRAM技術(shù)

  • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑
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MAX5391/MAX5393 低電壓線性變化數(shù)字電位器

  • MAX5391/MAX5393是雙路、256抽頭、易失型、低電壓線性變化數(shù)字電位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三種端到端 ...
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技術(shù)前沿：低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

  • 0引言基準(zhǔn)電壓是數(shù)?；旌想娐吩O(shè)計(jì)中一個(gè)不可缺少的參數(shù)，而帶隙基準(zhǔn)電壓源又是產(chǎn)生這個(gè)電壓的最廣泛的解決...
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邏輯電平轉(zhuǎn)換技術(shù)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)

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