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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 保護(hù)環(huán)

保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性 的影響*

  • 摘? 要：本文研究了P型保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅（DDSCR）靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測(cè)試并討論了器件的電容特性，同時(shí)利用傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明，保護(hù)環(huán)的增加對(duì)器件靜電防護(hù)能力無(wú)較大影響，但在1?
  • 關(guān)鍵字： 202206  雙向可控硅  保護(hù)環(huán)  寄生電容  傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)  

使用保護(hù)環(huán)的反相放大器電路

  • 使用保護(hù)環(huán)的反相放大器電路TLC2652是高精度放大器，往往在輸入電壓為微伏量級(jí)的情況下高增益工作。要保證 ...
  • 關(guān)鍵字： 保護(hù)環(huán)  反相放大器  
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保護(hù)環(huán)介紹

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