首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 充電損害

為IC設計減少天線效應

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
  • 關鍵字： IC設計  天線  天線效應  充電損害  MOS  
共1條 1/1 1

充電損害介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條充電損害!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對充電損害的理解，并與今后在此搜索充電損害的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473