創(chuàng)新突破 文章 進(jìn)入創(chuàng)新突破技術(shù)社區(qū)

英飛凌利用多柵技術(shù)取得創(chuàng)新突破

• 英飛凌利用多柵技術(shù)取得創(chuàng)新突破:三維制勝——全新半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)大幅度改善能源效率 多柵場效應(yīng)晶體管技術(shù)有望成為應(yīng)對集成電路小型化所帶來的各種技術(shù)挑戰(zhàn)的理想解決方案。與當(dāng)今的平面單柵技術(shù)相比，多柵技術(shù)能夠在保持高功能性的同時大幅度削減功耗。在這項新技術(shù)的一次演示中，英飛凌研究人員成功測試世界上第一個運(yùn)用全新65納米多柵晶體管結(jié)構(gòu)制造的復(fù)雜集成電路。與目前具有同等功能與性能的平面單柵晶體管相比，全新晶體管的尺寸要小30%，靜態(tài)電流值降低了十倍。據(jù)研究人員計算，這種多柵技術(shù)將大大提高移動設(shè)備的能源效率和電池工作時間
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