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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率晶體管

開關功率晶體管的選擇和正確操作

  • Si MOSFET 正常工作的驅動電路。關于制造商的應用說明和電路圖的一般性說明：除少數(shù)例外，這些都不適合任何系列生產(chǎn)?；旧?，驅動電路必須對柵極輸入電容進行充電和放電，但這不是恒定的。當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時，晶體管將跨越其線性區(qū)域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高，漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此，驅動器在跨越線性區(qū)域時將承受嚴重負載，這會導致柵極電壓保持在穩(wěn)定狀態(tài)。因此，除非驅動器可以提供幾安培的電流，否則開關速度將大大減慢。如此強大的輸出級
  • 關鍵字： 開關  功率晶體管  

英飛凌推出提升消費和工業(yè)應用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢結合，它們能夠在消費類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應用中發(fā)揮出色的性能。該產(chǎn)品系列包含13款器件，額定電壓為700 V、導通電阻范圍在20 mΩ至315 mΩ之間。由于器件規(guī)格粒度增多，再
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolGaN  功率晶體管  

還搞不懂TIP147是什么管子？看這一文，引腳圖+參數(shù)+工作原理

  • 我是小七，干貨滿滿。大家不要錯過，建議收藏，錯過就不一定找得到了，內容僅供參考，圖片記得放大，觀看。如果有什么錯誤或者不對，請各位大佬多多指教。今天給大家分享的是：TIP147一、TIP147是什么管？TIP147 是采用單片達林頓配置的硅外延基 PNP 功率晶體管，專為通用放大器和低頻開關應用而設計，適用于電源線性和開關應用。TIP147實物圖二、TIP147 引腳圖TIP147 引腳圖TIP147 引腳功能圖三、TIP147 CAD 模型1、TIP147電路符號TIP147 符號2、TIP1
  • 關鍵字： TIP147  PNP 功率晶體管  通用放大器  開關電路  

MACOM展示“射頻能量工具包”：通過將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應用，幫助客戶縮短產(chǎn)品上市時間

  • 　　MACOM?Technology?Solutions?Inc.(“MACOM”)今日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨在幫助商業(yè)OEM快速、輕松地調整其產(chǎn)品設計，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點火系統(tǒng)等各種應用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產(chǎn)品實現(xiàn)全新的性能水平和承受能力?！　ACOM的全新射頻能量工具包(測試版)現(xiàn)已推出，可幫助系統(tǒng)設計人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而
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Maxim用于蜂窩基站基礎設施中功率晶體管偏置控制的集成IC

  • Maxim推出雙通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008。這些高度集成的器件采用7mm x 7mm封裝，是業(yè)內最小的、集成了蜂窩基站控制所需的所有模擬至數(shù)字(A/D)、數(shù)字至模擬(D/A)接口以及邏輯功能的LDMOS偏置
  • 關鍵字： Maxim  蜂窩基站  功率晶體管  

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出面向高頻應用的450 V增強型氮化鎵功率晶體管

  • 　　宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出450 V并通常處于斷開狀態(tài)的增強型功率晶體管(EPC2027)，可用于需要高頻開關的應用，從而實現(xiàn)更高的效率及功率密度。受惠于采用高壓并具備更快速開關特性的器件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫(yī)療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發(fā)光二極管照明等應用。 　　EPC2027器件具備450 V額定電壓、400 m?最高導通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。器件使用含焊條的鈍化晶片，從而可以實現(xiàn)高效散熱及易于組裝。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
  • 關鍵字： 宜普  功率晶體管  EPC9044  

宜普電源轉換公司（EPC）推出單片半橋式氮化鎵功率晶體管

  • 　　宜普電源轉換公司宣布推出60 V增強型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過集成兩個eGaN®功率場效應晶體管而成為單個器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結果是增加效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度并同時降低終端用戶的功率轉換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2101最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。 　　在EPC2101半橋式元件內，每一個器件的額定電壓是60 V。 上面的場效應晶體管的導通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
  • 關鍵字： 宜普電源  功率晶體管  EPC2101  

意法半導體(ST)的600W - 250V RF晶體管采用最新高壓技術，實現(xiàn)體積更小、性能更可靠的E級工業(yè)電源

  • 　　意法半導體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場領先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝，可用于大輸出功率的E級工業(yè)電源。 　　STAC250V2-500E的負載失匹率 (load-mismatch) 為20:1，處于市場最高水平，最大安全功率高達600W。與采用傳統(tǒng)陶瓷封裝的解決方案相比，0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package)
  • 關鍵字： 意法半導體  功率晶體管  STAC250V2-500E  

宜普電源轉換公司全力支持工程師參加谷歌與美國電氣電子工程師學會（IEEE）聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽

  • 　　宜普電源轉換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設計出超小型功率逆變器以勝出該挑戰(zhàn)賽。 　　宜普電源轉換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創(chuàng)建更小體積的功率逆變器并贏取100萬美元獎金。由于氮化鎵場效應晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關速度及小尺寸等優(yōu)勢，因此它是功率逆變器的理想晶體管。 　　「Little
  • 關鍵字： 宜普  功率逆變器  功率晶體管  

Microsemi提供S波段 RF功率晶體管

  •  　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達(ASR)應用，ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。 　　在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500
  • 關鍵字： Microsemi  功率晶體管  

如何保護汽車逆變器設計中的功率晶體管

  • 隨著油電混合車和電動車技術的演進，逆變器驅動技術已經(jīng)進入汽車領域，從空調機和加熱系統(tǒng)等低功率應用，一直到驅動和再生制動系統(tǒng)等高功率應用，所有這些系統(tǒng)的共通點是需要通過保護逆變器設計中的功率開關晶體管來
  • 關鍵字： 保護  汽車逆變器  功率晶體管    

開關電源中功率晶體管的二次擊穿現(xiàn)象及防護措施

  • 隨著電子技術的不斷發(fā)展和新型元器件的問世，開關電源以其體積小、重量輕、效率高、對電網(wǎng)電壓適應范圍...
  • 關鍵字： 功率晶體管  二次擊穿  防護    

IC Insight：2010功率晶體管市場達到新高

  • 　　按IC Insight報道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長31%,達到創(chuàng)記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達到創(chuàng)記錄的增長32%后,此次的31%的增長也是相當亮麗。 　　IC Insight預測, 功率晶體管市場在2014年將達到145億美元, 而2009年為84億美元, 表示年均增長率CAGR達12%,并預計未來5年內出貨量的CAGR達到14%, 從2009年的371億個增加到713億個。 　　在電池操作的移動電子產(chǎn)品增長以及全球更強調電子
  • 關鍵字： 電源  功率晶體管  電池  

中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點

  • 　　在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。 　　從應用領域上看，消費電子領域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計算機領域銷售額位于第三位。這三大領域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應用市場。同時，憑借筆記本電腦
  • 關鍵字： MOSFET  功率晶體管  消費電子  IC  LDO  液晶電視  

英飛凌推出全新射頻功率晶體管

  • 　　英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會上，發(fā)布了專門面向700 MHz頻段無線基礎設施應用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動電視廣播和其他移動寬帶服務，其中包括LTE（長期演進）和下一代無線網(wǎng)絡標準。這一全新系列產(chǎn)品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個55 W驅動器及兩個輸出級晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業(yè)界最高水平的峰值功率。 　　基于英飛凌先進的LDMOS （橫向
  • 關鍵字： 英飛凌  射頻  功率晶體管  放大器  
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功率晶體管介紹

耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場效應晶體管、功率靜電感應晶體管、隔離柵晶體管、復合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡稱。 　　制造功率晶體管用的半導體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個器件的心片上就含有數(shù)十個乃至上萬個并聯(lián)的晶體管單元。 　　功率晶體 [ 查看詳細 ]

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