半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

2024年上半年，芯片和石墨烯技術(shù)以及第二臺百億億次計算機(jī)推動半導(dǎo)體極限

摩爾定律遇到物理極限，但GPU技術(shù)繼續(xù)快速演變摩爾定律預(yù)測大約每兩年晶體管密度加倍，現(xiàn)在正接近其物理極限。然而，GPU技術(shù)依然在快速演變，架構(gòu)和專用處理單元的創(chuàng)新推動了持續(xù)的性能提升。多芯片模塊、3D芯片堆疊和高級緩存層次結(jié)構(gòu)正在突破單片集成電路的限制。2024年上半年見證了一波技術(shù)進(jìn)步，包括Nvidia推出的Blackwell GPU架構(gòu)、芯粒技術(shù)的廣泛采用以及熱電池和高帶寬內(nèi)存的重大進(jìn)展。本文將探討2024年上半年GPU和半導(dǎo)體技術(shù)的最新趨勢和突破。Aurora超算實現(xiàn)百億億次性能，全球排名第二202
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美國向被忽視地區(qū)的“技術(shù)中心”頒發(fā)5.04億美元資助

拜登政府官員希望這些資金能推動歷史上政府資金較少的地區(qū)的技術(shù)創(chuàng)新。報道2024年7月2日，華盛頓報道，拜登政府周二向全國各地的12個項目頒發(fā)了5.04億美元的資助，以期將過去被忽視的社區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)榧夹g(shù)強(qiáng)國。這些補(bǔ)助金將資助“技術(shù)中心”，旨在增強(qiáng)包括蒙大拿州西部、印第安納州中部、南佛羅里達(dá)州和紐約州上州在內(nèi)的地區(qū)的關(guān)鍵技術(shù)生產(chǎn)。這些中心旨在加速美國先進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，如生物制造、清潔能源、人工智能和個性化醫(yī)學(xué)。背景該計劃反映了聯(lián)邦政府?dāng)U大美國科學(xué)和技術(shù)資金分配的努力，超越硅谷和少數(shù)沿海地區(qū)。拜登政府官員表示，這一舉
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美國將砸錢解決半導(dǎo)體人力荒

報導(dǎo)指出，美國政府將動用為「國家半導(dǎo)體技術(shù)中心」（National Semiconductor Technology Center,NSTC）所撥備的50億美元聯(lián)邦資金，來支持這項被稱為「勞動力合作伙伴聯(lián)盟」的半導(dǎo)體人才培育計劃。NSTC擬向多達(dá)10個勞動力發(fā)展項目提供介于50萬至200萬美元資金，并在未來幾個月啟動申請流程，在考慮所有提案后，官員將拍板總支出規(guī)模。這筆50億美元資金是來自于2022年通過的《芯片與科學(xué)法案》（Chips and Science Act）。這項具里程碑意義的法案展現(xiàn)美國強(qiáng)
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美國國家實驗室證明半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆附近生存

2024年6月25日，美國國家核能辦公室發(fā)表聲明，橡樹嶺國家實驗室（ORNL）的一項新研究證明氮化鎵半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆核心附近的惡劣環(huán)境中成功存活。研究發(fā)現(xiàn)這一發(fā)現(xiàn)可能使得在運行中的反應(yīng)堆中將電子元件放置得更靠近傳感器成為可能，從而實現(xiàn)更精確的測量和更緊湊的設(shè)計。這些研究結(jié)果可能有一天會導(dǎo)致在核反應(yīng)堆中使用無線傳感器，包括目前正在開發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微型反應(yīng)堆設(shè)計。更靠近核心傳感器用于從核反應(yīng)堆中收集信息，可以在設(shè)備故障發(fā)生前識別潛在問題。這有助于防止計劃外停機(jī)，每天可能導(dǎo)致公司損失數(shù)百萬美元的發(fā)電收
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一種研究半導(dǎo)體缺陷的新實驗方法

在凝聚態(tài)物理實驗室（PMC*），一個團(tuán)隊成功確定了與半導(dǎo)體中原子排列缺陷存在相關(guān)的自旋依賴電子結(jié)構(gòu)。這是首次測量到這種結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果發(fā)表在《物理評論快報》上。研究像所有晶體材料一樣，半導(dǎo)體由在空間中完美規(guī)則排列的原子組成。但實際上材料從未完美，即使使用最先進(jìn)的工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，半導(dǎo)體仍然存在缺陷。這些缺陷會改變材料的局部電子結(jié)構(gòu)，可能產(chǎn)生負(fù)面影響，也可能對應(yīng)用有益。這就是為什么理解它們背后的基本物理原理如此重要。這正是PMC團(tuán)隊所完成的工作，得益于阿加莎·烏利巴里在其論文期間的研究，并發(fā)表在《物理評論快
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中國企業(yè)計劃在馬來西亞設(shè)廠以避開美國關(guān)稅上調(diào)

在美國對部分中國商品提高關(guān)稅的背景下，中國企業(yè)正考慮將生產(chǎn)遷往馬來西亞以避開高額稅款。這些企業(yè)要求馬來西亞政府確保其產(chǎn)品在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)后不會受到美國關(guān)稅的影響。據(jù)《金融時報》和《大馬邊緣報》報道，美國總統(tǒng)喬·拜登于2024年5月宣布計劃提高對中國半導(dǎo)體、電池、太陽能產(chǎn)品和其他關(guān)鍵礦物的關(guān)稅，其中半導(dǎo)體關(guān)稅預(yù)計將從2025年起從25%上升至50%。馬來西亞：中國的免稅天堂？消息人士表示，中國的半導(dǎo)體和電池公司已經(jīng)請求馬來西亞政府游說美國，要求對在馬來西亞制造的產(chǎn)品免除這些關(guān)稅。一位馬來西亞官員透露，中國公司億緯
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韓國將于7月啟動26萬億韓元的半導(dǎo)體補(bǔ)貼計劃

據(jù)《朝鮮日報》報道，從7月開始，韓國政府將開始向半導(dǎo)體公司提供激勵和補(bǔ)貼，啟動一項規(guī)模為26萬億韓元（190億美元）的資金計劃，以支持該行業(yè)。在中美兩國向戰(zhàn)略部門注入政府資金的背景下，韓國政府也加入了這一努力，以應(yīng)對地緣政治緊張局勢正在使全球芯片供應(yīng)鏈分裂的情況。最初，韓國將啟動一項規(guī)模為18萬億韓元（129.4億美元）的投資計劃，包括優(yōu)惠貸款和投資基金。根據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)財政部的聲明，符合條件的公司將能夠從一項規(guī)模為17萬億韓元的低息貸款計劃中借款。據(jù)《朝鮮日報》報道，該金融支持計劃將于下個月開始，為大公司提
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半導(dǎo)體行業(yè)的反彈：博通 (AVGO) 與AI和經(jīng)濟(jì)趨勢的影響

近期的關(guān)鍵發(fā)展，包括戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系、收購以及強(qiáng)勁的財務(wù)表現(xiàn)，突顯了博通在人工智能和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中的重要作用。本文將探討這些發(fā)展、市場趨勢和分析師的見解，提供博通增長潛力的全面概述。
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臺積電據(jù)報道開發(fā)面板級封裝技術(shù)：另一項新型芯片封裝技術(shù)

據(jù)《日經(jīng)新聞》援引消息人士的報道，臺積電正在開發(fā)一種新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)，使用矩形面板狀基板，而不是目前使用的傳統(tǒng)圓形晶圓。這種技術(shù)允許在單個基板上放置更多芯片，以應(yīng)對由人工智能（AI）驅(qū)動的未來需求趨勢。盡管該研究仍處于早期階段，可能需要數(shù)年時間才能實現(xiàn)量產(chǎn)，但該報告指出，這代表了臺積電的一次重要技術(shù)轉(zhuǎn)變。據(jù)報道，臺積電目前正在試驗尺寸為515毫米×510毫米的矩形基板，其可用面積是當(dāng)前12英寸晶圓的三倍以上，因此更能滿足AI芯片組的需求。在回應(yīng)《日經(jīng)新聞》的詢問時，臺積電表示，公司正在密切關(guān)注先進(jìn)封裝
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美國對華高科技和人工智能投資實施新限制后，中國考慮采取“反制措施”

在美國財政部宣布對向中國的高科技投資實施進(jìn)一步限制后，中國商務(wù)部周一對美國發(fā)表了強(qiáng)烈譴責(zé)，并表示“保留采取反制措施的權(quán)利”。美國財政部周五宣布，將制定針對美國個人和公司在中國的人工智能、量子信息技術(shù)或半導(dǎo)體投資的規(guī)則。該規(guī)則目前處于草案階段，可能會加深已經(jīng)持續(xù)了六年的貿(mào)易爭端和美國對中國科技公司的限制。北京方面多次指責(zé)華盛頓試圖放緩中國的經(jīng)濟(jì)發(fā)展。中國商務(wù)部在周一的一份聲明中表示“嚴(yán)重關(guān)切和堅決反對”，并補(bǔ)充說，美國“應(yīng)該尊重市場經(jīng)濟(jì)的規(guī)則和公平競爭的原則，停止將貿(mào)易和商業(yè)問題政治化或武器化”。商務(wù)部聲明
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美國限制對中國AI和半導(dǎo)體行業(yè)的投資

據(jù)《彭博社》報道，美國政府正推進(jìn)限制美國個人和公司在中國投資的計劃，目標(biāo)領(lǐng)域包括人工智能（AI）、半導(dǎo)體和量子計算。據(jù)《路透社》報道，這些法規(guī)源于總統(tǒng)喬·拜登在8月份簽署的行政命令，旨在防止美國的專業(yè)技術(shù)幫助中國的技術(shù)進(jìn)步。財政部計劃在年內(nèi)最終確定這些規(guī)則，公眾反饋開放至8月4日。擬議的對外投資法規(guī)專門針對AI、半導(dǎo)體和量子計算的投資。這些技術(shù)對未來軍事、情報、大規(guī)模監(jiān)視和網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)能力至關(guān)重要，可能對美國構(gòu)成風(fēng)險。另一方面，目的是遏制美國投資幫助中國開發(fā)先進(jìn)技術(shù)，在全球市場上獲得競爭優(yōu)勢，并增強(qiáng)其對美國的競
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聚焦低碳化與數(shù)字化開拓半導(dǎo)體行業(yè)新格局

5月22日，EEPW受邀參加全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌在北京隆重舉辦的 “2024英飛凌媒體日”活動。本次活動以“綠意盎然·數(shù)啟未來”為主題，不僅展示了英飛凌在低碳化和數(shù)字化長期發(fā)展趨勢下的戰(zhàn)略布局和卓越成就，更深刻闡述了公司在過去一年的整體業(yè)務(wù)發(fā)展、在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重點布局，以及在本土化運營、創(chuàng)新應(yīng)用、企業(yè)社會責(zé)任等方面的努力和成果。低碳+數(shù)字“并駕齊驅(qū)”創(chuàng)紀(jì)錄英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉在會上做了分享。2023財年，英
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一種全新的無稀土金屬磁體即將徹底改變電動機(jī)的未來

對于社會要過渡到電氣化世界，許多技術(shù)（如電動汽車電機(jī)和電網(wǎng)電池）需要普及。這些技術(shù)許多都需要稀土金屬，而這些金屬在成本上不僅昂貴，還對環(huán)境和社會有害。上周，一家總部位于英國的公司宣布，他們利用人工智能在僅僅三個月內(nèi)成功開發(fā)出一種完全不使用稀土金屬的磁體。根據(jù)該公司表示，這比正常速度快了大約200倍。人工智能已經(jīng)被用于發(fā)現(xiàn)綠色能源過渡中的其他關(guān)鍵領(lǐng)域的材料，顯示出人工智能可以成為對抗氣候變化的強(qiáng)大盟友。眾所周知，世界需要迅速擺脫化石燃料。人類綠色能源快速轉(zhuǎn)型的一個大問題是，將來為電動機(jī)和電池提供動力需要稀土
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2024年全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計增長6%

國際半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預(yù)測報告》顯示，為了跟上芯片需求持續(xù)增長的步伐，全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能預(yù)計將在2024年增長6%，并在2025年實現(xiàn)7%的增長，達(dá)到每月晶圓產(chǎn)能3370萬片的歷史新高（以8英寸當(dāng)量計算）?！?整體產(chǎn)能變化情況。圖源 SEMI行業(yè)習(xí)慣將7nm及以下的芯片劃分為先進(jìn)制程，28nm及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴(kuò)產(chǎn)潮兩者均有涉及：一方面是來自AI算力需求的激增，以先進(jìn)制程芯片的擴(kuò)產(chǎn)最為明顯；另一方面是中國大陸廠商在成熟制程領(lǐng)域的集中擴(kuò)
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11億美元！北約重點加碼人工智能、半導(dǎo)體等技術(shù)

據(jù)路透社報道，北約已確認(rèn)首批獲得該組織創(chuàng)新基金10億歐元（11億美元）資助的公司，分別為總部位于倫敦的AI芯片制造商Fractile和德國的機(jī)器人公司ARX Robotics，以及英國制造商ICOMAT和Space Forge四家歐洲科技類初創(chuàng)公司。根據(jù)報道，該機(jī)構(gòu)已向Fractile和ARX Robotics兩家公司撥款，前者旨在讓大型語言模型 (LLM)（如支持ChatGPT的模型）運行得更快，后者設(shè)計的無人機(jī)器人功能涵蓋從舉重到監(jiān)視等各個方面。另外ICOMAT公司是一家生產(chǎn)汽車輕型材料商，Spa
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]