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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 單粒子效應(yīng)

SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究

  • 針對(duì)軍品級(jí)SRAM型FPGA的單粒子效應(yīng)特性,文中采用重離子加速設(shè)備,對(duì)Xilinx公司Virtex-II系列可重復(fù)編程FPGA中一百萬(wàn)門(mén)的XQ2V1000進(jìn)行輻射試驗(yàn)。試驗(yàn)中,被測(cè)FPGA單粒子翻轉(zhuǎn)采用了靜態(tài)與動(dòng)態(tài)兩種測(cè)試方式。并且通過(guò)單粒子功能中斷的測(cè)試,研究了基于重配置的單粒子效應(yīng)減緩方法。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)被測(cè)FPGA對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)與功能中斷都較為敏感,但是在注入粒子LET值達(dá)到42MeV.cm2/mg時(shí)仍然對(duì)單粒子鎖定免疫。
  • 關(guān)鍵字： 單粒子效應(yīng)  重離子加速設(shè)備  FPGA  

一種FPGA單粒子軟錯(cuò)誤檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

共2條 1/1 1

單粒子效應(yīng)介紹

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