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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 反相器

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

IR推出150V和200V MOSFET

  • 　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。 　　與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
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反相器介紹

TTL反相器各自特點(diǎn) ?TTL優(yōu)勢(shì)： ?1、工作速度快 ?2、帶負(fù)載能力強(qiáng) ?3、傳輸特性好 TTL反相器的電壓傳輸特性 電壓傳輸特性是指輸出電壓跟隨輸入電壓變化的關(guān)系曲線，即UO=f(uI)函數(shù)關(guān)系。如圖2.3.2所示曲線大致分為四段：?? AB段(截止區(qū))：當(dāng)UI≤0.6V時(shí)，T1工作在深飽和狀態(tài)，Uces1＜0.1V，Vbe2＜0.7V，故T2、 T3截止，D、T4均導(dǎo)通 [ 查看詳細(xì) ]

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