可靠性評(píng)估平臺(tái) 文章 進(jìn)入可靠性評(píng)估平臺(tái)技術(shù)社區(qū)

用4200A和矩陣開(kāi)關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)

• _____在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子誘導(dǎo)的退化（也稱為HCI或熱載流子注入）在NMOS和PMOS器件上都可以看到，并會(huì)影響所有區(qū)域的器件
• 關(guān)鍵字： 4200A  矩陣開(kāi)關(guān)  可靠性評(píng)估平臺(tái)  Clarius軟件  泰克