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三極管飽和和深度飽和狀態(tài)的理解和判斷

  •   本文介紹了三極管飽和及深度飽和狀態(tài)的理解和判斷。   三極管飽和問題總結(jié):   1.在實際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。   2.集電極電阻 越大越容易飽和;   3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是:二個PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制   問題:基極電流達(dá)到多少時三極管飽和?   解答:這個值應(yīng)該是不固定的,它和集電極負(fù)載
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模擬電子—從放大器說起(三):雙極型三極管

  • 1947年12月,貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓在威廉·肖克利的指導(dǎo)下共同發(fā)明了點接觸形式的雙極性晶體管,從這一天開始整整一個時代拉開了序幕 。
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電子高頻金屬探測器原理

金屬探測器原理與制作

晶體管參數(shù)——電流放大系數(shù)

  • 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù),用來表示晶體管放大能力。
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實用線性寬量程精密恒流儀的制作及應(yīng)用

  • 恒流源與穩(wěn)壓源一樣,是電子線路中的基本單元。隨著電子技術(shù)和元器件的發(fā)展,恒流技術(shù)已得到了快速的發(fā)展和廣泛...
  • 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓  基極  發(fā)射  并聯(lián)  

觸摸式電器開關(guān)電路

  • 本文所示為一觸摸式電器開關(guān)電路,電路簡單,容易制作。
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基極介紹

三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié),兩個PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種。三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,電路符號如圖2所示。 從三個區(qū)引出相應(yīng)的電極,分別為基極b,發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極。 共基極電路: 輸入信號電壓Vi加在發(fā)射極, [ 查看詳細(xì) ]

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