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堆疊硅片互聯(lián)技術 文章 進入堆疊硅片互聯(lián)技術技術社區(qū)

超越摩爾定律 賽靈思全球首發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術

  • ?　　日前，全球可編程平臺領導廠商賽靈思公司?(Xilinx,?Inc.)宣布推出業(yè)界首項堆疊硅片互聯(lián)技術，即通過在單個封裝中集成多個?FPGA?芯片，實現(xiàn)突破性的容量、帶寬和功耗優(yōu)勢，以滿足那些需要高密度晶體管和邏輯，以及需要極大的處理能力和帶寬性能的市場應用。通過采用3D封裝技術和硅通孔?(TSV)?技術，賽靈思28nm?7系列FPGA目標設計平臺所能滿足的的資源需求，是最大單芯片?FPGA?所能達到的
  • 關鍵字： Xilinx  FPGA  堆疊硅片互聯(lián)技術  

超越摩爾定律 賽靈思全球首發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術

  • 　　日前，全球可編程平臺領導廠商賽靈思公司 (Xilinx, Inc.)宣布推出業(yè)界首項堆疊硅片互聯(lián)技術，即通過在單個封裝中集成多個 FPGA 芯片，實現(xiàn)突破性的容量、帶寬和功耗優(yōu)勢，以滿足那些需要高密度晶體管和邏輯，以及需要極大的處理能力和帶寬性能的市場應用。通過采用3D封裝技術和硅通孔 (TSV) 技術，賽靈思28nm 7系列FPGA目標設計平臺所能滿足的的資源需求，是最大單芯片 FPGA 所能達到的兩倍。這種創(chuàng)新的平臺方法不僅使賽靈思突破了摩爾定律的界限，而且也為電子產(chǎn)品制造商系統(tǒng)的大規(guī)模集成提供了
  • 關鍵字： Xilinx  FPGA  堆疊硅片互聯(lián)技術  
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堆疊硅片互聯(lián)技術介紹

該技術采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 (TSV)技術，實現(xiàn)了多芯片可編程平臺。對于那些需要高密度晶體管和邏輯、以及需要極大的處理能力和帶寬性能的市場應用而言，這些28nm平臺和單芯片方法相比，將提供更大的容量，更豐富的資源，并顯著降低功耗。 [ 查看詳細 ]

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