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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功

• 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調(diào)試，目標是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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