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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲單元

SDRAM電路設(shè)計(jì)詳解

  • 介紹SDRAM電路設(shè)計(jì)之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個存儲陣列，可以把它想象成一個表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可
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抗故障攻擊的專用芯片存儲單元設(shè)計(jì)

  • 在復(fù)用檢測和線性校驗(yàn)碼檢測的基礎(chǔ)上，提出互補(bǔ)存儲、奇偶校驗(yàn)和漢明碼校驗(yàn)三種存儲單元的抗故障攻擊防護(hù)方案。應(yīng)用這三種方案，用硬件描述語言Verilog設(shè)計(jì)了三種抗故障攻擊雙端口RAM存儲器，在Altera 公司的器件EP1C12Q240C8上予以實(shí)現(xiàn)。
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RISC結(jié)構(gòu)微處理器專用存儲單元的研究與實(shí)現(xiàn)

  • 分析了RISC微處理器結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，針對分組密碼的操作特征在RISC結(jié)構(gòu)密碼專用微處理器中增加專用存儲單元，用來專門存儲密碼運(yùn)算的相關(guān)數(shù)據(jù)，同時擴(kuò)展了指令集，極大地減少了執(zhí)行密碼算法時的指令條數(shù),提高了密碼運(yùn)算效率，增強(qiáng)了其處理性能。
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分離柵極閃存循環(huán)擦寫引起退化分量剖析

  • SuperFlash®技術(shù)基于分離柵極概念，廣泛用于獨(dú)立和嵌入式NOR閃存產(chǎn)品。與其他競爭解決方案相比，SuperFlash的主要優(yōu)勢包括：因采用較厚的隧道電介質(zhì)
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E2PROM的存儲單元

E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)

  • E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)
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基于MCS-8051單片機(jī)的片外數(shù)據(jù)存儲器擴(kuò)展設(shè)計(jì)研究

  • 摘要：本文介紹MCS-8051單片機(jī)片外256 KB數(shù)據(jù)存儲器的擴(kuò)展方法，主要以MCS-8051系列單片機(jī)為例，介紹一種新的片外 ...
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世界上最小的靜態(tài)存儲單元問世

  • 　　8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機(jī)構(gòu)共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點(diǎn)有效靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。 　　SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。 　　新的研究工作是在
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一種低電壓開關(guān)電流甲乙類存儲單元的設(shè)計(jì)

  • 本文設(shè)計(jì)了一種低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲單元，電源電壓±1 V，其最大采樣信號頻率12.9 MHz，并且具有結(jié)構(gòu)簡單、容易設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。
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存儲單元介紹

存儲單元一般應(yīng)具有存儲數(shù)據(jù)和讀寫數(shù)據(jù)的功能，一般以8字節(jié)作為一個存儲單元。每個單元有一個地址，是一個整數(shù)編碼，可以表示為二進(jìn)制整數(shù)。程序中的變量和主存儲器的存儲單元相對應(yīng)。變量的名字對應(yīng)著存儲單元的地址，變量內(nèi)容對應(yīng)著單元所存儲的數(shù)據(jù)。指針的內(nèi)容是存儲地址在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲元同時進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮鳎@樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可 [ 查看詳細(xì) ]

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