寬禁帶半導(dǎo) 文章 進(jìn)入寬禁帶半導(dǎo)技術(shù)社區(qū)

發(fā)展第三代半導(dǎo)體 基礎(chǔ)研究成難題

• 　　“寬禁帶半導(dǎo)體就像一個(gè)小孩，還沒(méi)長(zhǎng)好就被拉到市場(chǎng)上去應(yīng)用?！痹?1月8日至9日召開(kāi)的香山科學(xué)會(huì)議上，中科院院士、中科院半導(dǎo)體所研究員夏建白打的比方引起不少與會(huì)專(zhuān)家的共鳴。　　夏建白所說(shuō)的寬禁帶半導(dǎo)體又被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等材料是其主要代表?！　∪绻f(shuō)以硅為代表的第一代半導(dǎo)體是集成電路的基石，第二代半導(dǎo)體如砷化鎵促成了信息高速公路的崛起的話，那么第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國(guó)防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容?！　‖F(xiàn)在的
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