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Vishay的新款80V對(duì)稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平,可顯著提高功率密度、能效和熱性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型80 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高功率密度和能效的同時(shí),增強(qiáng)熱性能,減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個(gè)PowerPAK 1
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Vishay推出的新款對(duì)稱雙通道MOSFET 可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡化設(shè)計(jì)

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計(jì)算和通信應(yīng)
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