嵌入式閃存文章進(jìn)入嵌入式閃存技術(shù)社區(qū)

鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社近日宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款(2)面向車載應(yīng)用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品(1)。新產(chǎn)品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲(chǔ)傳輸速度，適用于多種新一代車載應(yīng)用，諸如車載遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)以及ADAS系統(tǒng)(4)。鎧俠車載UFS產(chǎn)品的性能顯著提升(5)，順序讀取速度提升約100%，順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘s40%。通過性能提升，相關(guān)應(yīng)用能夠更好地利用5G連接的優(yōu)勢(shì)，帶來更快的系統(tǒng)啟動(dòng)速度和更優(yōu)質(zhì)的用戶體驗(yàn)。作為首家推出UFS技術(shù)
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格芯和Microchip宣布Microchip 28納米SuperFlash嵌入式閃存解決方案投產(chǎn)

格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology? （SST?）近日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術(shù)NVM 解決方案即將投產(chǎn)。在實(shí)施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術(shù)方面，格芯確立了新的行業(yè)基準(zhǔn)。該實(shí)施方案具有以下功能和優(yōu)勢(shì)：●? ?成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案，僅增加了
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鎧俠推出第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備

為了繼續(xù)推動(dòng)通用閃存(1)（UFS）技術(shù)的發(fā)展，全球存儲(chǔ)器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲(chǔ)傳輸速度，適用于各種下一代移動(dòng)應(yīng)用。鎧俠 UFS 產(chǎn)品性能的改進(jìn)使這些應(yīng)用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢(shì)，從而加快下載速度、減少延遲時(shí)間并改善用戶體驗(yàn)。鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品將BiCS FLASH? 3D 閃存和控制器集成在?JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)封裝中，并結(jié)合了?MIPI M-PHY 5.0 和&n
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華虹半導(dǎo)體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái) 助力大容量MCU解決方案

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司近日宣布，最新推出90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）工藝平臺(tái)，滿足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺(tái)作為華虹半導(dǎo)體0.11微米超低漏電技術(shù)的延續(xù)，以更低的功耗和成本為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的差異化解決方案，適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴式設(shè)備、工業(yè)及汽車電子等方面的應(yīng)用。新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)1.5V 核心N型和P型MOS晶體管
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華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái) 成功量產(chǎn)

華虹半導(dǎo)體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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嵌入式閃存成就MAX 10 FPGA的系統(tǒng)價(jià)值

30年的低成本創(chuàng)新中國有句俗話叫“30年河?xùn)|，30年河西”，Altera在1984年發(fā)布了第一款非易失PLD EP300器件，30年間，可編程器件在性能上不斷發(fā)展甚至挑戰(zhàn)摩爾定律，工藝技術(shù)也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步，電子設(shè)計(jì)領(lǐng)
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ST推出業(yè)內(nèi)首款90nm技術(shù)嵌入式閃存的微控制器

日前，意法半導(dǎo)體(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列處理器內(nèi)核的微控制器研發(fā)項(xiàng)目上取得突破，推出全球業(yè)內(nèi)首款采用90nm技術(shù)嵌入式閃存的微控制器。目
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閃迪新一代 iNAND EXTREME 嵌入式閃存加快旗艦級(jí)安卓智能手機(jī)與平板電腦響應(yīng)速度

全球閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商閃迪公司日前宣布推出新一代 iNAND Extreme? 嵌入式閃存盤 (EFD) – 這是迄今為止閃迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。容量高達(dá) 64GB1 的 iNAND Extreme 樣品已送至全球精選客戶手中。全球移動(dòng)設(shè)備制造商能夠藉此突破設(shè)計(jì)瓶頸，推出新一代超高響應(yīng)速度和優(yōu)異性能的安卓智能手機(jī)和平板電腦。
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MCU市場(chǎng)生變：進(jìn)為可攻退因難守

　　MCU市場(chǎng)波瀾再起。國內(nèi)閃存供應(yīng)商兆易創(chuàng)新近日發(fā)布基于ARMCortexTM-M3內(nèi)核GD32F103系列32位通用MCU產(chǎn)品。與此同時(shí)，富士通子公司富士通半導(dǎo)體宣布退出MCU業(yè)務(wù)，作價(jià)約1.1億美元以及6500萬美元庫存賣給另一閃存芯片供應(yīng)商Spansion(飛索)。一進(jìn)一退之間的MCU市場(chǎng)變化都指向兩個(gè)“超現(xiàn)實(shí)”問題：一是閃存廠商進(jìn)入MCU市場(chǎng)有何優(yōu)勢(shì)?二是國內(nèi)廠商在32位MCU市場(chǎng)到底有多大騰挪空間? 　　進(jìn)為可攻　　嵌入式閃存已成為MCU市場(chǎng)中最為重要的一種差異化
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XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對(duì)高階片上混合信號(hào)系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價(jià)比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFlash®(1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。閃存單元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上最小的單元尺寸，其卓越的性能還能支持最大到16Mbit的SoC設(shè)計(jì)，在業(yè)內(nèi)十分具有競(jìng)爭(zhēng)力。　　這一最小的單元同時(shí)還滿足了編程效率
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華虹NEC實(shí)現(xiàn)“國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎(jiǎng)”三連冠

　　2010年6月7日，國家金卡工程協(xié)調(diào)領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室在北京舉行了“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)儀式。世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)自主研發(fā)的“SONOS 0.13微米嵌入式閃存(eFlash)技術(shù)”榮獲“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎(jiǎng)-優(yōu)秀應(yīng)用成果獎(jiǎng)”，這是華虹NEC連續(xù)第三年獲得這一殊榮。此次獲獎(jiǎng)是對(duì)華虹NEC在智能卡領(lǐng)域多年來所
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臺(tái)積電發(fā)布0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)

　　TSMC今日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是TSMC第二代符合AEC-Q100產(chǎn)品高規(guī)格認(rèn)證之硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，適用于廣泛的車用電子產(chǎn)品。　　TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與0.25微米嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)相較，減少了百分之二十七的芯片尺寸?，F(xiàn)今0.18微米技術(shù)世代擁有已經(jīng)大量開發(fā)的硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并能支持多種應(yīng)用，同時(shí)達(dá)到低成本與高效能的綜效。運(yùn)用TSMC獲認(rèn)證的0.18微米車用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，客戶能夠?qū)⑵淠壳暗?.18微米產(chǎn)品范圍延伸至車用微控制器(MCU)產(chǎn)品領(lǐng)域
關(guān)鍵字：臺(tái)積電嵌入式閃存 MCU

宏力推出客戶定制嵌入式閃存IP設(shè)計(jì)服務(wù)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，開發(fā)了其針對(duì)不同應(yīng)用的多樣化設(shè)計(jì)方案。基于該設(shè)計(jì)方案，客戶可在宏力半導(dǎo)體經(jīng)過硅驗(yàn)證的技術(shù)平臺(tái)上進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而更為有效，同時(shí)減少風(fēng)險(xiǎn)。　　豐富的高性能、通過硅驗(yàn)證的IP模塊系列，對(duì)客戶現(xiàn)有的IC設(shè)計(jì)起到了優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的作用。該系列可提供各種混合信號(hào)IP，內(nèi)嵌ESD保護(hù)電路的高性能IO，以及嵌入式閃存IP模塊 (包括BIST和flash macros等)。　　宏力半導(dǎo)體是唯一一家由SST授權(quán)擁有0.25-0.13
關(guān)鍵字：宏力嵌入式閃存 IP

華虹NEC推出業(yè)界領(lǐng)先的0.13微米嵌入式EEPROM解決方案

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)近日宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái)，成功開發(fā)出面向高性能智能卡、信息安全及微處理器等應(yīng)用的嵌入式EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)解決方案，充分展現(xiàn)了華虹NEC在嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(eNVM)技術(shù)上的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)。　　華虹NEC的0.13微米嵌入式EEPROM是在已有的0.13微米嵌入式Flash平臺(tái)上開發(fā)的，實(shí)現(xiàn)了Flash和EEPROM的完美兼容，也
關(guān)鍵字：華虹NEC 晶圓代工嵌入式閃存

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