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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 帶電粒子探測(cè)器基本類

帶電粒子的測(cè)量與探測(cè)器的基本類型

  • ORTEC帶電粒子硅探測(cè)器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，耗盡層厚度從10微米到幾個(gè)毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又分為諸多
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帶電粒子探測(cè)器基本類介紹

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