開(kāi)關(guān)電壓斜率 文章 進(jìn)入開(kāi)關(guān)電壓斜率技術(shù)社區(qū)

簡(jiǎn)單的速率控制技術(shù)可降低開(kāi)通能耗

• 　　Wolfgang?Frank?（英飛凌）　　摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達(dá)）中的開(kāi)關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開(kāi)關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過(guò)選擇有效的功率晶體管柵極電阻來(lái)解決這一問(wèn)題。但這在運(yùn)行中是無(wú)法自主進(jìn)行調(diào)整的?！　”疚膶⒔榻B一種通過(guò)并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)攻克這一難題的簡(jiǎn)單方法。文中還介紹了與開(kāi)通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評(píng)估?！　￡P(guān)鍵詞：馬達(dá)；開(kāi)關(guān)損耗；EMI；開(kāi)關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動(dòng)　　0 引言　　連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。首先，應(yīng)通過(guò)選擇電阻值較小的
• 關(guān)鍵字： 202006  馬達(dá)  開(kāi)關(guān)損耗  EMI  開(kāi)關(guān)電壓斜率  柵極驅(qū)動(dòng)