開(kāi)關(guān)芯片文章進(jìn)入開(kāi)關(guān)芯片技術(shù)社區(qū)

Melexis推出全集成電感式開(kāi)關(guān)芯片

全球微電子工程公司Melexis近日正式推出創(chuàng)新的Induxis?開(kāi)關(guān)芯片MLX92442。這款單芯片解決方案憑借其非接觸設(shè)計(jì)、無(wú)需磁鐵的特性以及出色的抗雜散場(chǎng)干擾能力，可直接檢測(cè)導(dǎo)電目標(biāo)。該產(chǎn)品不僅支持小型模塊設(shè)計(jì)，顯著減少元件數(shù)量，并在提升安全性和電氣化水平方面表現(xiàn)出色。其廣泛應(yīng)用領(lǐng)域包括高壓互鎖、充電口蓋、安全帶、引擎蓋/后備箱、齒輪傳感或線控剎車(chē)等場(chǎng)景。傳統(tǒng)的汽車(chē)安全鎖存和開(kāi)關(guān)，如門(mén)和后備箱手柄、安全帶以及剎車(chē)燈開(kāi)關(guān)，常采用機(jī)械接觸或磁性開(kāi)關(guān)，如按鍵開(kāi)關(guān)、干簧管或霍爾效應(yīng)傳感器。然而，這些解決方案
關(guān)鍵字： Melexis 集成電感式開(kāi)關(guān)芯片

2022年12月2日，比利時(shí)泰森德洛——全球微電子工程公司Melexis今日宣布發(fā)布一款適用于相對(duì)位置和速度傳感應(yīng)用的通用型可編程3軸鎖存器和開(kāi)關(guān)芯片MLX92352。該器件采用靈活的磁性設(shè)計(jì)，支持雙路輸出，且不受間距影響，輸出可設(shè)置為速度、脈沖或方向。憑借其卓越的EMC和ESD性能，這款無(wú)PCB器件為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用節(jié)省了空間和總模塊成本。 MLX92351（預(yù)編程）和MLX92352（可編程）為正交輸出器件，可精確定位電機(jī)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)速和方向。2路輸出之間的90°相移使器件不受間距和氣隙影響，磁性
關(guān)鍵字： Melexis 雙鎖存器開(kāi)關(guān)芯片

納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開(kāi)關(guān)芯片，該款芯片是專(zhuān)門(mén)針對(duì)驅(qū)動(dòng)高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)場(chǎng)景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載元件。典型應(yīng)用框圖 NSE11409是車(chē)規(guī)級(jí)40V/單通道90mΩ智能低邊開(kāi)關(guān), 具備完整的診斷與保護(hù)功能，芯片內(nèi)置>45V的過(guò)壓鉗位，特別適用于驅(qū)動(dòng)繼電器和閥門(mén)等電感負(fù)載，實(shí)現(xiàn)快速退磁。該款芯片內(nèi)部能夠?qū)敵鲞M(jìn)行限流，具備開(kāi)路診斷以及過(guò)溫保護(hù)等功能。能夠在-40℃至125℃的環(huán)境溫度下正常運(yùn)行，
關(guān)鍵字：納芯微開(kāi)關(guān)芯片

變頻空調(diào)控制系統(tǒng)用控制器在實(shí)際應(yīng)用一段時(shí)間后出現(xiàn)主板失效問(wèn)題，經(jīng)過(guò)大量數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析及實(shí)際主板失效分析確定是開(kāi)關(guān)電源電路中的開(kāi)關(guān)芯片炸失效導(dǎo)致，該問(wèn)題一直是困擾著空調(diào)生產(chǎn)企業(yè)難題，問(wèn)題長(zhǎng)期存在沒(méi)有得到有效解決方案，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量。本文從器件可靠性、應(yīng)用開(kāi)關(guān)電源電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)、實(shí)際應(yīng)用環(huán)境等方面進(jìn)行全面驗(yàn)證分析，最終將開(kāi)關(guān)芯片炸失效原因找到，并采取有效方案解決。
關(guān)鍵字：變頻空調(diào) 開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)芯片應(yīng)用環(huán)境 201603

　　本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
關(guān)鍵字：射頻開(kāi)關(guān) CMOS 開(kāi)關(guān)芯片 201402

引言　　通常RF系統(tǒng)中有許多輸入輸出的端口，用多端口網(wǎng)絡(luò)分析儀分析散射特性?xún)r(jià)格比較昂貴。所以一般要用開(kāi)關(guān)對(duì)多輸入多輸出的信號(hào)進(jìn)行切換，然后用比較簡(jiǎn)單的二端口網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行分析測(cè)量。在核磁共振系統(tǒng)中，一般接收系統(tǒng)的通道個(gè)數(shù)小于天線線圈的個(gè)數(shù)，所以多路線圈也要應(yīng)用開(kāi)關(guān)進(jìn)行切換選擇。　　目前一般的設(shè)計(jì)中用現(xiàn)成的開(kāi)關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)切換功能。但是大多數(shù)的開(kāi)關(guān)芯片可靠性不好，容易損壞，而且供電線路也比較復(fù)雜。例如SW-437芯片雖然可以完成簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)功能，但是它對(duì)防靜電要求非常高，一般的實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)車(chē)間的條件很難達(dá)
關(guān)鍵字： RF 端口核磁共振開(kāi)關(guān)芯片

共6條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條開(kāi)關(guān)芯片!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)開(kāi)關(guān)芯片的理解，并與今后在此搜索開(kāi)關(guān)芯片的朋友們分享。創(chuàng)建詞條